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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 16:40 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 ○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司 光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫 恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研）  ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77 |
本研究では、人体無害波長230nm帯遠紫外線LEDの短波長化と高出力化の開発を行った。AlGaNバッファー層の高Al組成... [more] | ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77 pp.102-105 |
| OME | 2020-12-25 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MoO3とMgの反応により生成したMgOを陰極バッファーとして用いるタンデム型有機薄膜太陽電池の開発 ○景山 弘（琉球大） OME2020-14 |
酸化モリブデン (MoO3) と真空蒸着されたマグネシウム (Mg) との反応により生成したMgO陰極バッファーが、タン... [more] | OME2020-14 pp.29-32 |
| CPM | 2014-09-05 09:30 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | 減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性 寺口祐介・三宅祐介・西山智哉（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） CPM2014-83 |
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中... [more] | CPM2014-83 pp.43-47 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 ○豊田史朗（埼玉大/理研）・平山秀樹（理研）・鎌田憲彦（埼玉大） ED2013-85 CPM2013-144 LQE2013-120 |
AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率（IQE）の向... [more] | ED2013-85 CPM2013-144 LQE2013-120 pp.95-100 |
| OME | 2012-12-05 16:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 陰極バッファー材料としてMoO3を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 宮城英介・○景山 弘（琉球大）・大森 裕（阪大）・城田靖彦（福井工大） OME2012-82 |
高い正孔移動度を有するアモルファス分子材料、tris[4-(5-phenylthiophen-2-yl)phenyl]a... [more] | OME2012-82 pp.33-35 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:40 |
大阪 | 大阪市立大学 | AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み ○富田優志（埼玉大）・平山秀樹・藤川紗千恵（理研）・水澤克哉・豊田史朗・鎌田憲彦（埼玉大） ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 |
AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率（IQE）の向... [more] | ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 pp.87-92 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高移動度を有する正孔輸送性アモルファス分子材料を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 ○景山 弘（琉球大）・大森 裕（阪大）・城田靖彦（福井工大） SDM2012-3 OME2012-3 |
高い正孔移動度を有する新規アモルファス分子材料、tris[4-(2-thienyl)phenyl]amineおよびtri... [more] | SDM2012-3 OME2012-3 pp.9-13 |
| LQE, OPE (共催) |
2011-06-30 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性 ○勝野 弘・櫛部光弘・金子 桂・山田真嗣・大場康夫（東芝） OPE2011-20 LQE2011-20 |
近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生... [more] | OPE2011-20 LQE2011-20 pp.25-28 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| CPM | 2009-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹（長岡技科大）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治（長岡技科大） CPM2009-45 |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] | CPM2009-45 pp.61-66 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 ○野口憲路（理研/埼玉大/JST）・平山秀樹（理研/JST）・乗松 潤（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 |
波長210nm～350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に25... [more] | ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 pp.71-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] | ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 pp.83-88 |
| OME | 2008-09-30 15:55 |
兵庫 | 情報通信研究機構 神戸研究所 | Poly(3-hexylthiophene)/C60相互浸透型有機薄膜太陽電池の基礎特性とMoO3陽極バッファー層挿入効果 ○堀 哲郎・芝田岳史・Kittichungchit Varutt（阪大）・Ju Xiaouhui（阪大/天津大）・阪井 淳（阪大/松下電工）・久保 等・藤井彰彦・尾崎雅則（阪大） OME2008-48 |
poly (3-hexylthiophene) とC60のヘテロ接合を有する光電変換素子について光電変換特性の改善を試み... [more] | OME2008-48 pp.27-32 |
| SCE | 2007-07-27 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | MOD法によるMgO基板上へのSTOおよびBi-2212薄膜の作製 ○渡邉省司・立木 隆・内田貴司（防衛大）・内山哲治（宮城教大） |
テラヘルツ発振器などの高周波デバイスへの応用を目指し、MgO基板上へのBi2Sr2CaCu2O8+x（Bi-2212）薄... [more] | SCE2007-12 pp.1-6 |
| SCE, MW (共催) |
2006-04-20 10:25 |
東京 | 超電導工学研究所 (東雲) | MOD法によるBi-2212薄膜の面内配向性制御 ○内山哲治（東工大）・内田貴司（防衛大） |
高周波応用を目指し，誘電率の低いMgO基板上にBi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212)薄膜を有機金属分解（MOD）... [more] | SCE2006-4 MW2006-4 pp.19-24 |
| CPM | 2005-11-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大） |
常圧MOVPE成長InN膜におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果を検討した。エッチング時間の増加に伴ない、GaN... [more] | CPM2005-161 pp.1-4 |
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