| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 17:20 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on Si ○Jose A. Piedra-Lorenzana・Shohei Kaneko・Takaaki Fukushima・Keisuke Yamane（Toyohashi Univ. Tec.）・Junichi Fujikata（Tokushima Univ.）・Yasuhiko Ishikawa（Toyohashi Univ. Tec.）  ED2023-9 CPM2023-9 SDM2023-26 |
[more] | ED2023-9 CPM2023-9 SDM2023-26 pp.36-39 |
| CPM | 2021-03-03 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製 ○大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2020-64 |
酸化銅（II）(CuO)薄膜と酸化銅（I）(Cu₂O)薄膜が，それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] | CPM2020-64 pp.34-37 |
| SDM | 2019-06-21 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） SDM2019-35 |
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] | SDM2019-35 pp.47-51 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 ○橘 茉優・園井柊平・石川靖彦（豊橋技科大） ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 |
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス用近赤外pin受光器を作製し... [more] | ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 小原翔平・○寺迫智昭・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 |
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] | ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 pp.55-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| OME | 2017-12-01 13:30 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | ［招待講演］イオンプレーティング法GZOシード層上へのZnOナノロッドのCBD成長とZnOナノロッド/PEDOT:PSSヘテロ構造の形成 ○寺迫智昭・大西航揮・小原翔平・福岡良太（愛媛大）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） OME2017-43 |
イオンプレーティング法ZnO:Ga（GZO）シード層上に硝酸亜鉛六水和物及びヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液を用いた... [more] | OME2017-43 pp.37-42 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 pp.27-32 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理... [more] | ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 pp.43-46 |
| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2016-02-19 09:00 |
沖縄 | 沖縄大学 | Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化 ○石川靖彦・宮坂祐司・伊藤和貴・永友 翔・和田一実（東大） OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227 |
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス 用近赤外受光器を作製した。... [more] | OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227 pp.39-42(OCS), pp.39-42(OFT), pp.65-68(OPE) |
| CPM | 2014-09-05 09:30 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | 減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性 寺口祐介・三宅祐介・西山智哉（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） CPM2014-83 |
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中... [more] | CPM2014-83 pp.43-47 |
| ED | 2012-07-27 11:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET ○鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2012-53 |
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] | ED2012-53 pp.67-72 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2012-06-22 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 塩化亜鉛を原料に用いた溶液成長法によるZnOナノロッドの成長と形状制御 ○寺迫智昭・村上聡宏（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・白方 祥（愛媛大） EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36 |
塩化亜鉛(ZnCl$_2$)水溶液を用いた溶液成長法(CBD: Chemical Bath Deposition)によっ... [more] | EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36 pp.23-28 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:20 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 ○オ ドンボリル・森口幸久・市村正也（名工大） ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 |
光化学堆積(PCD)法を用いて不純物ドーピングありとなしのSnO2薄膜を作製し、高感度の室温動作水素ガスセンサを作製した... [more] | ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 pp.35-38 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 pp.85-89 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理 ○宋 瑛・市村正也（名工大） ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 |
Cu2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという... [more] | ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 pp.91-94 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| OPE | 2011-12-16 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討 ○カン ジュンヒョン・渥美裕樹・小田 学・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2011-146 |
LSIの高速化の限界を乗り越えるため、シリコンフォトニクスを用いた光インターコネクト技術が注目を浴びている。アモルファス... [more] | OPE2011-146 pp.27-32 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 14:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 ○有田宗貴・チェ ギヒョン・荒川泰彦（東大） ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 |
独自に開発したGaNナノワイヤの無触媒有機金属気相成長法による作製技術(自己形成法および選択成長法)について、得られる結... [more] | ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 pp.121-126 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]