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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] | |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果 ○田中京輔・奈良俊宏・矢ヶ崎 司・伊藤里樹・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大）  EID2022-7 |
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により，a面サファイア基板上に， (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] | EID2022-7 pp.13-16 |
| SDM | 2022-11-10 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CrSi薄膜の電気特性のモデリング ○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス） SDM2022-67 |
アニール時の相変化と結晶粒成長を考慮してCrSi 薄膜の電気抵抗をモデル化した．結晶粒界を含む複数の材料と結晶相からなる... [more] | SDM2022-67 pp.14-18 |
| MRIS, IEE-MAG (連催) |
2022-03-04 13:00 |
愛知 | 名古屋大学+オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性 ○野呂翔太・大竹 充（横浜国大）・磯上慎二（物質・材料研究機構）・二本正昭・川井哲郎（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MRIS2021-16 |
Mn-Al合金膜を，Mn組成を50から72 at. %まで，成長温度を室温から500 °Cまで，膜厚を10から100 n... [more] | MRIS2021-16 pp.1-6 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 14:30 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性 ○唐 超・佐藤陽平・渡辺克也・大崎淳也・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2019-79 |
[more] | ED2019-79 pp.13-15 |
| IA | 2019-11-29 11:05 |
青森 | 津軽伝承工芸館 | 循環型農業を支援する複合型センシングシステムの開発と評価 ○春尾優介・山本 寛（立命館大）・荒川雅夫・仲 逸男（旭ゴム） IA2019-43 |
現在、日本の第一次産業従事者の高齢化や農業就業人口の減少といった問題を解決するために、作業の自動化と収入の安定化が課題と... [more] | IA2019-43 pp.1-6 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:05 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 ○船戸 充・小林敬嗣・川上養一（京大） ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 |
有機金属気相成長法により，[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に，分子層(M... [more] | ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97 pp.89-92 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:10 |
宮城 | 東北大・通研 | 高効率THz波発生に向けた二次元層状化合物半導体GaSe結晶の低温液相成長 ○佐藤陽平・唐 超・渡辺克也・大崎淳也・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2018-66 |
本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するガリウムセレン(GaSe)結晶を溶液成長により作製している．今回は温... [more] | ED2018-66 pp.49-52 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 12:00 |
宮城 | 東北大・通研 | 層状半導体InSe結晶の低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性 ○唐 超・佐藤陽平・渡辺克也・大崎淳也・田邊匡生・小山 裕（東北大） ED2018-68 |
[more] | ED2018-68 pp.57-59 |
| SDM | 2018-11-09 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション ○望月和浩・紀 世陽・小杉亮治・米澤喜幸・奥村 元（産総研） SDM2018-70 |
化学的気相堆積（CVD）を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレー... [more] | SDM2018-70 pp.29-34 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 16:40 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御 ○二本正昭・大竹 充（中大） EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 |
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] | EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 pp.31-36 |
| LQE | 2018-02-23 10:35 |
神奈川 | 古河電工横浜事業所 | ［特別招待講演］Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用 ○石川靖彦（豊橋技科大） LQE2017-152 |
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域（1.3–1.6 µm）の受光素子への応用について紹介する。Siと... [more] | LQE2017-152 pp.7-10 |
| ITS, IE (共催) ITE-MMS, ITE-HI, ITE-ME, ITE-AIT (共催) (連催) [詳細] |
2018-02-15 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 海面養殖業者向け自動給餌の人工知能化 ○服部魁人・江崎修央（鳥羽商船高専）・橋本 純（友榮水産）・高橋 完（アイエスイー） |
現在水産業者の高齢化や市場価格によって収入が安定しないことが問題となっている．そこで，給餌に関する漁師の業務を人工知能化... [more] | |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 13:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長 ○佐藤陽平・唐 超・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2017-73 |
本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するGaSe結晶を溶液成長により作製している．今回はGaSe結晶からの低... [more] | ED2017-73 pp.5-8 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響 ○芹澤伽那・落合亮真・中村将大（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-39 |
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100–xBx（x = 5, 10, 15 at. %）合金膜を基板温... [more] | MR2016-39 pp.57-62 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 11:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | L10-FePt薄膜の表面形態と結晶性に及ぼす下地層の影響 ○清水智貴・中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-40 |
L10構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには，膜表面平坦性を制御する必要がある．しかしな... [more] | MR2016-40 pp.63-67 |
| ED | 2016-07-23 15:55 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ○三枝孝彰・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-31 |
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] | ED2016-31 pp.21-24 |
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