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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2018-10-18 14:35 |
佐賀 | 佐賀県教育会館 第1会議室 | 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ電圧変調による大信号光応答の理論解析 ○後藤優征・吉冨翔一・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OCS2018-34 OPE2018-70 LQE2018-59 |
トランジスタレーザ（TL）は、従来の半導体レーザと異なり3電気端子を有する構造ため、端子接続の組み合わせにより複数の変調... [more] | OCS2018-34 OPE2018-70 LQE2018-59 pp.35-40 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2018-08-24 14:30 |
北海道 | 小樽経済センター | Siフォトニクス外部共振器量子ドット波長可変レーザの1um帯への応用 ○松本 敦・梅沢俊匡・山本直克（NICT）・北 智洋（早大） R2018-33 EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52 |
近年、通信容量が急激に増大し、特にモバイルやデータセンタ等の中短距離通信トラフィックの増加が顕著である。近距離ではファイ... [more] | R2018-33 EMD2018-36 CPM2018-36 OPE2018-63 LQE2018-52 pp.83-86 |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-25 13:25 |
福井 | 芦原温泉清風荘 | 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 ○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦（上智大） LQE2018-16 |
我々は，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] | LQE2018-16 pp.25-28 |
| OPE | 2017-12-07 15:00 |
沖縄 | まりんぴあみやこ | ［記念講演］本格的光集積回路の実現を目指して ○山田博仁（東北大） OPE2017-111 |
本格的な光集積回路の実現を目指して、化合物半導体基板のドライエッチング加工技術から、面発光素子、そしてSi細線光導波路と... [more] | OPE2017-111 pp.111-114 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-09-01 11:30 |
青森 | 弘前文化センター | 狭線幅、低振幅雑音特性を有するCバンド波長可変半導体レーザ ○葛西恵介・中沢正隆（東北大）・友松泰則・遠藤 尚（光伸光学） R2017-36 EMD2017-30 CPM2017-51 OPE2017-60 LQE2017-33 |
今回我々は、Semiconductor Optical Amplifier (SOA)、波長可変誘電体多層膜光フィルタ、... [more] | R2017-36 EMD2017-30 CPM2017-51 OPE2017-60 LQE2017-33 pp.59-64 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 15:00 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 ○松本 敦・赤羽浩一・梅沢俊匡・山本直克（NICT） LQE2017-19 |
近年、通信トラフィックの増大により、特に中・短距離において光や電波を統合的に利用した高速・大容量リンクの構築と、それを実... [more] | LQE2017-19 pp.79-84 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 14:25 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | ［招待講演］紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展 ○吉田治正・武富浩幸・青木優太・高木康文・杉山厚志・桑原正和・山下陽滋・大河原 悟・前田純也（浜松ホトニクス） R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 |
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する．ま... [more] | R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 pp.35-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 15:40 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | 外部共振器構造を導入した光制御型利得変調レーザの高速制御 ○三枝 慈・白鳥智史・横田信英（東北大）・小林 亘（NTT）・八坂 洋（東北大） OPE2014-148 LQE2014-135 |
光損失および位相を制御可能な外部共振器を集積した光制御型利得変調レーザ（OC-ECL）で， 飛躍的に3-dB帯域が拡大で... [more] | OPE2014-148 LQE2014-135 pp.47-50 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 11:10 |
北海道 | 小樽経済センター | 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 ○冬木琢真・吉田憲司・吉岡 諒・吉本昌広（京都工繊大） R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 |
半導体半金属混晶GaAs1-xBixは，Bi混入によって禁制帯幅(Eg)の減少や，Egの低い温度依存性を示し，発振波長が... [more] | R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 pp.87-90 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 10:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック） ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 |
プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し，ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した．... [more] | ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 pp.1-4 |
| LQE | 2012-12-13 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD ○森本慎太郎・森 浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明（アンリツデバイス） LQE2012-125 |
光パルス試験器OTDR（Optical Time Domain Reflectometer）用光源として、1550nmと... [more] | LQE2012-125 pp.19-22 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-23 10:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 半導体レーザの周波数雑音特性を用いた物理乱数の生成 ～ 発振周波数安定化が物理乱数に及ぼす影響に関する考察 ～ ○齊藤高大・古川元一・新井秀明・佐藤 孝・坂本秀一・大河正志（新潟大） R2012-21 EMD2012-27 CPM2012-52 OPE2012-59 LQE2012-25 |
半導体レーザは、キャリア密度の変動で利得や屈折率が変動し、単一縦モード発振中でも周波数雑音が発生する。我々はこの半導体レ... [more] | R2012-21 EMD2012-27 CPM2012-52 OPE2012-59 LQE2012-25 pp.5-8 |
| LQE | 2011-12-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 高温（220℃）における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振 ○影山健生（QDレーザ）・西 研一（QDレーザ/東大）・山口正臣（富士通研）・持田励雄（QDレーザ/東大）・前多泰成・武政敬三（QDレーザ）・田中 有（富士通研）・山本剛之（QDレーザ/富士通研/東大）・菅原 充（QDレーザ/東大）・荒川泰彦（東大） LQE2011-126 |
高温環境下での半導体レーザ発振動作は，厳しい条件下（宇宙，地中）でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] | LQE2011-126 pp.17-20 |
| OPE, R, CPM (共催) |
2011-04-22 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | 青色半導体レーザを用いたラインビーム生成 ○高橋健一郎・島川 修・蟹江智彦・井上 享（住友電工） R2011-3 CPM2011-3 OPE2011-3 |
本論文では、光強度が均一なビームサイズ10μm × 1,000μm, 波長445nmの青色ラインビーム生成方法を提案する... [more] | R2011-3 CPM2011-3 OPE2011-3 pp.11-14 |
| LQE | 2010-12-17 17:15 |
東京 | 機械振興会館 | 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） LQE2010-128 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | LQE2010-128 pp.63-67 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-28 15:05 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | ［招待講演］ECOC2010報告 ～ 光アクティブデバイス関連 ～ ○田中信介（富士通研） OCS2010-63 OPE2010-99 LQE2010-72 |
ECOC2010 (9月19～23日、トリノ)における、光アクティブデバイス（半導体レーザ・受光素子、半導体光変調器、半... [more] | OCS2010-63 OPE2010-99 LQE2010-72 pp.51-53 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 17:15 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 1μm帯広帯域スーパールミネッセントダイオードと波長可変レーザ ○浅野英樹・向井厚史・矢口純也・大郷 毅（富士フイルム） PN2009-47 OPE2009-185 LQE2009-167 |
我々は光計測用途として1μm帯の広帯域なスーパールミネッセントダイオード及び波長可変レーザを開発した。広帯域化を実現する... [more] | PN2009-47 OPE2009-185 LQE2009-167 pp.65-69 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 08:30 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発 ○藤岡裕己（東京電機大）・山本直克・赤羽浩一・川西哲也（NICT）・高井裕司（東京電機大） PN2009-50 OPE2009-188 LQE2009-170 |
レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題であ... [more] | PN2009-50 OPE2009-188 LQE2009-170 pp.81-84 |
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