Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2014-73
昇華法によるAlN単結晶の育成
○岩崎洋介・永田俊郎・秋山秀敏・中村啓一郎（JFEミネラル）
pp. 1 - 4
ED2014-74
格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長
○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 5 - 8
ED2014-75
MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚
○児玉和樹・Hasan Md Tanvir・野村裕之（福井大）・重川直輝（阪市大）・山本暠勇・葛原正明（福井大）
pp. 9 - 14
ED2014-76
減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果
○中濵和大（三重大）・福世文嗣（浜松ホトニクス）・三宅秀人・平松和政（三重大）・吉田治正・小林祐二（浜松ホトニクス）
pp. 15 - 18
ED2014-77
m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
○栗原 香・長尾 哲（三菱化学）・山口敦史（金沢工大）
pp. 19 - 22
ED2014-78
非極性InGaN量子井戸の偏光特性
○坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・栗原 香・長尾 哲（三菱化学）
pp. 23 - 26
ED2014-79
窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術
○鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴・大川貴史（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・藤川紗千恵・平山秀樹（理研）
pp. 27 - 32
ED2014-80
ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング
○南部優賢・山口敦史（金沢工大）・後藤裕輝・砂川晴夫・松枝敏晴（古河機械金属）・岡田愛姫子（早大）・篠原秀敏・後藤博史（東芝機械）・水野 潤（早大）・碓井 彰（古河機械金属）
pp. 33 - 38
ED2014-81
ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製
○金沢裕也・豊田史朗・大島一晟（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・大川貴史・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・平山秀樹（理研）
pp. 39 - 44
ED2014-82
InNの硬度とヤング率の評価
○大久保 泰・出浦桃子（東北大）・徳本有紀（東大）・沓掛健太朗・大野 裕・米永一郎（東北大）
pp. 45 - 48
ED2014-83
[(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較
及川貴大・渡部雄太・稲葉隆哲・大島佳祐・宋 華平・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大）
pp. 49 - 53
ED2014-84
MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作
○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大）
pp. 55 - 58
ED2014-85
2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現
○寺嶋 亘・平山秀樹（理研）
pp. 59 - 62
ED2014-86
Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用
○羽鳥伸明・清水隆徳（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大）
pp. 63 - 68
ED2014-87
多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED
○高島祐介・清水 亮・原口雅宣・直井美貴（徳島大）
pp. 69 - 72
ED2014-88
超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作
○前田哲利・定 昌史・平山秀樹（理研）
pp. 73 - 76
ED2014-89
高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED
○定 昌史・前田哲利・平山秀樹（理研）
pp. 77 - 80
ED2014-90
MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通）
pp. 81 - 84
ED2014-91
Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy
○Kenji Shiojima・Shingo Yamamoto・Yuhei Kihara（Univ. of Fukui）
pp. 85 - 90
ED2014-92
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響
○西口賢弥・橋詰 保（北大）
pp. 91 - 95
ED2014-93
格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大）
pp. 97 - 102
ED2014-94
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大）
pp. 103 - 106
ED2014-95
微小光共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大
○稲葉智宏・若松龍太・李 東建・児島貴徳・小泉 淳・藤原康文（阪大）
pp. 107 - 110
ED2014-96
GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・宮川鈴衣奈・江龍 修（名工大）・橋詰 保（北大）
pp. 111 - 115
ED2014-97
スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製
○野間友博・林 宏暁・福島大史・今野裕太・野村一郎・岸野克巳（上智大）
pp. 117 - 120
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．