Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2020-52
光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定
○森 恵人・高橋佑知・坂井繁太・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）
pp. 1 - 4
LQE2020-53
InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性
○山口拓海・有賀恭介・森 恵人・山口敦史（金沢工大）
pp. 5 - 8
LQE2020-54
AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
○佐藤恒輔（旭化成）・大森智也・山田和輝・田中隼也・石塚彩花・手良村昌平・岩山 章・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）
pp. 9 - 12
LQE2020-55
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
○中林泰希・高田華果・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大）
pp. 13 - 16
LQE2020-56
光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
○山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 17 - 20
LQE2020-57
エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価
○石井良太（京大）・吉川 陽・永瀬和宏（旭化成）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 21 - 24
LQE2020-58
選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 25 - 28
LQE2020-59
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 29 - 32
LQE2020-60
界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ～ n形とp形の比較 ～
○松田 陵（福井大）・堀切文正・成田好伸・吉田丈洋・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
pp. 33 - 36
LQE2020-61
Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性
○川角優斗・安井悠人（福井大）・柏木行康・玉井聡行（阪産技研）・塩島謙次（福井大）
pp. 37 - 40
LQE2020-62
高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大）
pp. 41 - 44
LQE2020-63
酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）
pp. 45 - 48
LQE2020-64
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大）
pp. 49 - 52
LQE2020-65
CBD法によるMgZnOナノロッドの成長とUV光検出器応用
○濱本昂大・金丸陸斗・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大）
pp. 53 - 56
LQE2020-66
生体電気インピーダンス法を用いた日本酒の評価方法の基礎的検討
○梶原朋也・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）
pp. 57 - 59
LQE2020-67
AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）
pp. 60 - 62
LQE2020-68
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合UV光検出器の時間応答特性
○山田健太・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大）
pp. 63 - 66
LQE2020-69
GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化
○田先美貴子・清原一樹・小田原麻人・伊藤太一・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名大）
pp. 67 - 70
LQE2020-70
量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
○宮本義也・曽根直樹・Weifang Lu・奥田廉士・伊藤和真・奥野浩司・飯田一喜・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）
pp. 71 - 74
LQE2020-71
AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）
pp. 75 - 78
LQE2020-72
周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価
○上向井正裕・樋口晃大・谷川智之・片山竜二（阪大）
pp. 79 - 82
LQE2020-73
スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上
○形岡遼志・小泉晴比古・岩山 章・三宅秀人（三重大）
pp. 83 - 86
LQE2020-74
AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の内部量子効率と励起子系誘導放出特性
○室谷英彰（徳山高専）・田邊凌平・久永桂典・濱田 晟・別府寛太（山口大）・前田哲利・M. Ajmal Khan・定 昌史・平山秀樹（理研）・山田陽一（山口大）
pp. 87 - 90
LQE2020-75
ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大）
pp. 91 - 94
LQE2020-76
プラズモニックナノ共振器による高効率発光と量子デバイスへの応用
○岡本晃一・垣内晴也・島ノ江考平・村尾文弥・松山哲也・和田健司（阪府大）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 95 - 98
LQE2020-77
AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入
○稲森崇文・窪谷茂幸・石原頌也・白土達也・上杉謙次郎・正直花奈子・三宅秀人（三重大）
pp. 99 - 102
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．