Online edition: ISSN 2432-6380
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CPM2023-56
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 1 - 5
CPM2023-57
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 6 - 10
CPM2023-58
ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果
○久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 11 - 14
CPM2023-59
ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術
○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）
pp. 15 - 20
CPM2023-60
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価
○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
pp. 21 - 24
CPM2023-61
Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大）
pp. 25 - 30
CPM2023-62
MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長
○渡邉浩崇・新田州吾・藤元直樹・川崎晟也・隈部岳瑠・大西一生・本田善央・天野 浩（名大）
pp. 31 - 35
CPM2023-63
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製
○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 36 - 39
CPM2023-64
半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ
○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 40 - 43
CPM2023-65
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 44 - 47
CPM2023-66
ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善
○土佐宏樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大）
pp. 48 - 51
CPM2023-67
ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定
○神野翔綺・山口敦史・森 恵人（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・冨谷茂隆・工藤喜弘（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 52 - 55
CPM2023-68
一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定
○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 56 - 59
CPM2023-69
BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および検出特性評価
○中野貴之・高橋祐吏・太田悠斗・清水勇希・井上 翼・青木 徹（静岡大）
pp. 60 - 63
CPM2023-70
可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成
○森 耀平・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大）
pp. 64 - 67
CPM2023-71
熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性
廣田 楓・中堀将人・○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
pp. 68 - 71
CPM2023-72
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
pp. 72 - 75
CPM2023-73
その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御
○小林憲汰・渡邊琉加・西川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）
pp. 76 - 79
CPM2023-74
ITO電極とNb2O5スペーサ層を含む共振器長制御を活用したGaN面発光レーザーの作製
○渡邊琉加・小林憲汰・柳川光樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）
pp. 80 - 83
CPM2023-75
縦型AlGaN系UV-B LDの作製
○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）
pp. 84 - 87
CPM2023-76
III族窒化物半導体光・電子デバイスの サーマルマネージメントへ向けて
○石谷善博・地﨑匡哉・ティーアイ カインシュウェ・林 伯金・浅地竜也・馬 蓓（千葉大）
pp. 88 - 93
CPM2023-77
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール
○大石悠翔・肖 世玉・上杉謙次郎・秋山 亨・玉野智弘・三宅秀人（三重大）
pp. 94 - 97
CPM2023-78
ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価
○井本圭紀・近藤涼輔・山田凌矢・服部光希・西林到真・松原衣里・岩山 章・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）
pp. 98 - 101
CPM2023-79
230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現
○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司 光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫 恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研）
pp. 102 - 105
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．