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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-11-29 to:2012-11-29」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 ○梁 剣波・重川直輝（阪市大）・日暮栄治（東大）  ED2012-65 CPM2012-122 LQE2012-93 |
[more] | ED2012-65 CPM2012-122 LQE2012-93 pp.1-5 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:05 |
大阪 | 大阪市立大学 | III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 ○角谷正友・Liwen Sang・Mickael Lozac'h（物質・材料研究機構） ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 |
III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置... [more] | ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 pp.9-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 ○杉浦洋平・網谷良介・多次見大樹（工学院大）・尾沼猛儀（東京高専）・山口智広・本田 徹（工学院大） ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 |
六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づ... [more] | ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 pp.13-15 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 大口径Si基板（6インチ&8インチ）上のAlN、AlGaNの高速成長 ○徳永裕樹・生方映徳・矢野良樹・山岡優哉・山口 晃・田渕俊也（大陽日酸）・松本 功（大陽日酸EMC） ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97 |
[more] | ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97 pp.17-20 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 ○渡邉則之・横山春喜（NTT）・重川直輝（阪市大） ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 |
有機金属化学気相成長法（Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD）によ... [more] | ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 pp.21-24 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 pp.29-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:45 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 |
MIS構造に用いる絶縁体としてAl2O3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl2O3を用いたMISダイオードを作製して... [more] | ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 pp.33-36 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大） ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 16:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs ○Md. Tanvir Hasan・Hirokuni Tokuda・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui） ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 |
AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studi... [more] | ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 pp.45-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 09:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 ○神野大樹・岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・江夏悠貴・長尾 哲（三菱化学） ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 |
(10-10) GaNや(20-21) GaN，(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] | ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 pp.51-54 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 09:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 ○荒木 努・上松 尚・阪口順一・王 科（立命館大）・山口智広（工学院大）・Euijoon Yoon（ソウル国立大）・名西やす之（立命館大） ED2012-78 CPM2012-135 LQE2012-106 |
[more] | ED2012-78 CPM2012-135 LQE2012-106 pp.55-58 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 10:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 |
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] | ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 pp.59-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia） ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている．とくに，従来用いられている(0001)極性面と... [more] | ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 pp.71-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 ○土屋貴義・梅田慎也・曽和美保子（名城大）・近藤俊行・北野 司・森 みどり・鈴木敦志・難波江宏一・関根 均（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大） ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 |
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphi... [more] | ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 pp.75-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 pp.81-85 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:40 |
大阪 | 大阪市立大学 | AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み ○富田優志（埼玉大）・平山秀樹・藤川紗千恵（理研）・水澤克哉・豊田史朗・鎌田憲彦（埼玉大） ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 |
AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率（IQE）の向... [more] | ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 pp.87-92 |
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