| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2016年度)
「from:2016-12-12 to:2016-12-12」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研）  ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] | ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:50 |
京都 | 京大桂キャンパス | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 |
[more] | ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 pp.9-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 表面処理の影響 ～ ○塩島謙次・永縄 萌（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に（i）劈開のみ、（ii）H2O2による故意酸化、（... [more] | ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 pp.15-20 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 |
1016～1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] | ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 pp.21-26 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] | ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 pp.27-30 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:35 |
京都 | 京大桂キャンパス | 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
ゲート－ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN H... [more] | ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 17:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGa... [more] | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 pp.45-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 08:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 |
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] | ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 pp.51-54 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:30 |
京都 | 京大桂キャンパス | m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性 ○大島一晟（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研） ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85 |
[more] | ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85 pp.61-66 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 |
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は，蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である．しかし，これまで報告されてき... [more] | ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 pp.67-70 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:30 |
京都 | 京大桂キャンパス | クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 ○岸元克浩・呉 珮岑・船戸 充・川上養一（京大） ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 |
本研究では，新たなAlNバルク成長法として，AlとN2を原料としたシンプルかつクリーンな方法であるElementary ... [more] | ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 pp.71-74 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:55 |
京都 | 京大桂キャンパス | 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 ○美濃卓哉（パナソニック）・平山秀樹（理研）・高野隆好・後藤浩嗣・植田充彦・椿 健治（パナソニック） ED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88 |
現在市販されている波長270～280nm帯のAlGaN系深紫外LEDの外部量子効率(EQE)は1～4%と低いため，市場へ... [more] | ED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88 pp.75-78 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 11:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 |
本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術および... [more] | ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 pp.79-83 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 pp.85-88 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス | 室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用 ○菊地 航・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシル アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2016-75 CPM2016-108 LQE2016-91 |
近年、酸化物半導体を用いた各種センサの研究が進められている。TiO2 は透明性のある n 型酸化物 半導体であり、光触媒... [more] | ED2016-75 CPM2016-108 LQE2016-91 pp.89-92 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:50 |
京都 | 京大桂キャンパス | ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究 ○久保田 繁・原田佳宜（山形大）・須藤健成（早大）・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） ED2016-76 CPM2016-109 LQE2016-92 |
本研究では，有機薄膜太陽電池の発電電流を増加させるための光学設計に関する検討を行った．提案するデバイスは，多層干渉膜とモ... [more] | ED2016-76 CPM2016-109 LQE2016-92 pp.93-95 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]