5月15日(木) 午後  13:00 - 17:05
(1)	13:00-13:25	RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成へのドーナツ円板の効果 ED2008-1 CPM2008-9 SDM2008-21	○細川貴之・中村功一・細江俊介・酒井　里・以西雅章（静岡大）
(2)	13:25-13:50	RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22	○中村功一・細川貴之・酒井　里・細江俊介・以西雅章（静岡大）
(3)	13:50-14:15	ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23	○山田典史・板倉巧周・倉地雄史・以西雅章（静岡大）
	14:15-14:25	休憩　（ 10分 ）
(4)	14:25-14:50	青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ED2008-4 CPM2008-12 SDM2008-24	○倉地雄史・板倉功周・山田典史・以西雅章（静岡大）
(5)	14:50-15:15	RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25	○堀内郁志・以西雅章（静岡大）
(6)	15:15-15:40	RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成 ED2008-6 CPM2008-14 SDM2008-26	○遠藤立弥・水地裕一・以西雅章（静岡大）
	15:40-15:50	休憩　（ 10分 ）
(7)	15:50-16:15	光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27	○泉　佳太・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
(8)	16:15-16:40	有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価	○松野文弥・畠中　奨・中西快之・岡田　浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
(9)	16:40-17:05	An ultrasonic method for synthesis of ZnO nanostructure on glass substrates ED2008-8 CPM2008-16 SDM2008-28	○Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
5月16日(金) 午前  09:00 - 15:55
(10)	09:00-09:25	Synthesis of single walled carbon nanotubes using Ultrasonic nebulizer ED2008-9 CPM2008-17 SDM2008-29	○Ishwor Khatri・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
(11)	09:25-09:50	Growth of cupric oxide nanostructure by thermal oxidation of copper ED2008-10 CPM2008-18 SDM2008-30	○Jien-Bo Liang・Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
(12)	09:50-10:15	AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31	○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林　隆（NTT）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分 ）
(13)	10:25-10:50	溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32	○森　俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤さき　勇（名城大）
(14)	10:50-11:15	p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33	○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）
(15)	11:15-11:40	Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34	○広森公一・石川博康・十倉史行・嶋中啓太・森　直人・森本智彦（名工大）
	11:40-12:50	昼食　（ 70分 ）
(16)	12:50-13:15	温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長 ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35	○手嶋康将・鈴木堅志郎・成塚重弥・丸山隆浩（名城大）
(17)	13:15-13:40	歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36	○前多悠也・金　秀光・谷奥雅俊・渕　真悟・宇治原　徹・竹田美和・山本尚人・真野篤志・中川靖英・山本将博・奥見正治・中西　彊（名大）・坂　貴（大同工大）・堀中博道（阪府大）・加藤俊宏（大同特殊鋼）
(18)	13:40-14:05	MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37	○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田　航・市橋　果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
(19)	14:05-14:30	MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38	○市橋　果・山田　航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡　寛樹・仲島　甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
	14:30-14:40	休憩　（ 10分 ）
(20)	14:40-15:05	電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39	○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大）
(21)	15:05-15:30	マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40	○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島　武（原子力機構）
(22)	15:30-15:55	電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41	○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-: injr 高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl 村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-4337 E- : nf
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-: engi-u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-: y
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104 E- geba

Last modified: 2008-03-26 02:00:01