11月26日(木) 午前  座長: 橋本玲 (東芝セミコンダクタ―) 10:30 - 12:10
(1)	10:30-10:55	RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100	○荒木　努・武馬　輝・増田　直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA）
(2)	10:55-11:20	微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101	○鈴木周平・林　家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）
(3)	11:20-11:45	AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102	○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎　勇（名城大）・天野　浩（名大）
(4)	11:45-12:10	酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103	○小島一信（東北大）・塚田悠介（三菱化学）・古川えりか・斉藤　真（東北大）・三川　豊・久保秀一・池田宏隆・藤戸健史（三菱化学）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大）
	12:10-13:10	休憩　（ 60分 ）
11月26日(木) 午後  座長: 鈴木寿一 (北陸先端大) 13:10 - 14:50
(5)	13:10-13:35	ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104	○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中　亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田　淳（京大）
(6)	13:35-14:00	ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105	○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地　徹・上杉　勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田　淳（京大）
(7)	14:00-14:25	ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106	○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田　淳（京大）
(8)	14:25-14:50	1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107	○梶谷　亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
	14:50-15:05	休憩　（ 15分 ）
11月26日(木) 午後  座長: 藤原直樹 (NTT) 15:05 - 16:20
(9)	15:05-15:30	［招待講演］AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108	○秩父重英（東北大）・三宅秀人・平松和政（三重大）
(10)	15:30-15:55	光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109	○河上航平・中納　隆・山口敦史（金沢工大）
(11)	15:55-16:20	光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110	○中納　隆・河上航平・山口敦史（金沢工大）
	16:20-16:30	休憩　（ 10分 ）
11月26日(木) 午後  座長: 梅沢俊匡 (NICT) 16:30 - 17:20
(12)	16:30-16:55	多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111	○石戸亮祐・石井良太・船戸　充・川上養一（京大）
(13)	16:55-17:20	アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112	○岡本晃一・立石和隆・川元　駿・西田知句・玉田　薫（九大）・船戸　充・川上養一（京大）
11月27日(金) 午前  座長: 重川直輝 (大阪市大) 10:00 - 12:05
(14)	10:00-10:25	伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明	○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京）
(15)	10:25-10:50	Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113	○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ）
(16)	10:50-11:15	Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate	○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT）
(17)	11:15-11:40	ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114	○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大）
(18)	11:40-12:05	Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115	○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本　功（大陽日酸）・江川孝志（名工大）
	12:05-13:05	休憩　（ 60分 ）
11月27日(金) 午後  座長: 川口真生 (パナソニック) 13:05 - 14:20
(19)	13:05-13:30	GaN系THz-QCLの最近の進展 ED2015-84 CPM2015-119 LQE2015-116	○寺嶋　亘・平山秀樹（理研）
(20)	13:30-13:55	無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 ED2015-85 CPM2015-120 LQE2015-117	○定　昌史・平山秀樹（理研）
(21)	13:55-14:20	m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性 ED2015-86 CPM2015-121 LQE2015-118	○大島一晟（埼玉大/理研）・定　昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研）
	14:20-14:35	休憩　（ 15分 ）
11月27日(金) 午後  座長: 津田邦男 (東芝) 14:35 - 16:15
(22)	14:35-15:00	表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119	○加畑智基・堤　達哉・三好実人・江川孝志（名工大）
(23)	15:00-15:25	スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 ED2015-88 CPM2015-123 LQE2015-120	○野中翔一郎・古川昭雄（東京理科大）・牧田紀久夫・水野英範・菅谷武芳・仁木　栄（産総研）
(24)	15:25-15:50	GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121	○柴　麗・梁　剣波・重川直輝（阪市大）
(25)	15:50-16:15	表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122	○林　朋宏・梁　剣波（阪市大）・新井　学（新日本無線）・重川直輝（阪市大）

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	梅沢 俊匡（情報通信研究機構） TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938 E-: _u 藤原 直樹（日本電信電話株式会社） TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345 E-: o
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先

Last modified: 2015-11-26 10:59:55