11月30日(木) 午後  LQE1 座長: 定 昌史（理研） 13:30 - 15:15
	13:30-13:35	開会挨拶　（ 5分 ）
(1)	13:35-14:00	光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定 ED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62	○清水奈緒人・高橋佑知・小林玄季・中納　隆・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）
(2)	14:00-14:25	InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63	○太田有亮・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）
(3)	14:25-14:50	InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64	○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）
(4)	14:50-15:15	マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65	○早川峰洋・林　佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸　充・川上養一（京大）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分 ）
11月30日(木) 午後  ED1 座長: 小谷 淳二（富士通研） 15:25 - 17:05
(5)	15:25-15:50	-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66	○河野　司・久志本真希・永松謙太郎・新田州吾・本田善央・天野　浩（名大）
(6)	15:50-16:15	光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67	○植村圭佑・松本　悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大）
(7)	16:15-16:40	界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68	○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大）
(8)	16:40-17:05	自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69	○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大）
12月1日(金) 午前  LQE2 座長: 平山 秀樹（理研） 09:40 - 11:20
(9)	09:40-10:05	サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70	○森　拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大）
(10)	10:05-10:30	Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 ED2017-58 CPM2017-101 LQE2017-71	○舘林　潤・稲葉智宏・塩見圭史・藤原康文（阪大）
(11)	10:30-10:55	深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72	○小島久範・安田俊輝・上林大輝・飯田一喜・小出典克・竹内哲也・岩谷素顕・上山　智・赤崎　勇（名城大）
(12)	10:55-11:20	フォトニック結晶深紫外LEDの実現 ～ p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作 ～ ED2017-60 CPM2017-103 LQE2017-73	○鹿嶋行雄（丸文）・前田哲利（理研）・松浦恵里子（丸文）・定　昌史（理研）・岩井　武・森田敏郎（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・倉島優一・高木秀樹（産総研）・平山秀樹（理研）
	11:20-12:30	昼休み　（ 70分 ）
12月1日(金) 午後  ED2 座長: 津田 邦男（東芝） 12:30 - 14:10
(13)	12:30-12:55	リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74	○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田　永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大）
(14)	12:55-13:20	MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75	○梶原瑛祐・米原健矢・加藤大望・上杉謙次郎・新留　彩・蔵口雅彦・向井　章・大野浩志・湯元美樹（東芝）・吉岡　啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝）
(15)	13:20-13:45	NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76	○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数　誠・大石敏之（佐賀大）
(16)	13:45-14:10	XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77	○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）
	14:10-14:20	休憩　（ 10分 ）
12月1日(金) 午後  LQE3 座長: 江川 孝志（名工大） 14:20 - 16:00
(17)	14:20-14:45	2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78	○佐々井耕平・Myunghee KIM・鈴木　敦・澁谷弘樹・栗崎湧気・軒村恭平・竹林　穣・上山　智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑　勇（名城大）
(18)	14:45-15:10	スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79	○吉澤　涼・林　侑介・三宅秀人・平松和政（三重大）
(19)	15:10-15:35	Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80	○林　侑介・三宅秀人・平松和政・秋山　亨・伊藤智徳（三重大）・片山竜二（阪大）
(20)	15:35-16:00	m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化 ED2017-68 CPM2017-111 LQE2017-81	○定　昌史・南　聡史・平山秀樹（理研）
	16:00-16:10	休憩　（ 10分 ）
12月1日(金) 午後  CPM 座長: 片桐 崇史（東北大） 16:10 - 17:30
(21)	16:10-16:35	ゼオライト修飾光電極を用いた色素増感太陽電池の試作と評価 ED2017-69 CPM2017-112 LQE2017-82	今井貴大・森　義晴・三浦正範・鹿又健作・有馬ボシールアハマド・久保田　繁・○廣瀬文彦（山形大）
(22)	16:35-17:00	包絡線法を用いたFDTDアルゴリズムの有機太陽電池の光学解析への応用 ED2017-70 CPM2017-113 LQE2017-83	○久保田　繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野　潤（早大）・廣瀬文彦（山形大）
(23)	17:00-17:25	銀ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴による量子ドット増感太陽電池の効率向上に関する研究 ED2017-71 CPM2017-114 LQE2017-84	○木幡優弥・三浦正範・鹿又健作・久保田　繁・廣瀬文彦・有馬 ボシール アハンマド（山形大）
	17:25-17:30	閉会挨拶（浜本 貴一（九大））　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	新井 学（新日本無線（株）) TEL：049-278-1441 Fax :049-278-1269 E-： injr 東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E- : m
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	片桐 崇史（東北大学大学院） TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106 E-:giecei 八木 英樹（住友電気工業） TEL 045-853-7318 E-:gi-dei
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2018-11-22 09:56:25