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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-11-27 to:2008-11-27」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）  ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nｍ程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] | ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 pp.7-12 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 10:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 ○塩田倫也・富田祐貴・杉山正和・霜垣幸浩・中野義昭（東大） ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 |
有機金属気相成長(MOVPE: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Sele... [more] | ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 pp.13-16 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 10:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 ○小林 篤・上野耕平・下元一馬・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST）・天内英貴・長尾 哲・堀江秀善（三菱化学） ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 |
これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ，十分な結晶品質が得られなかった非極性面?族... [more] | ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 pp.17-20 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 11:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化 ○武田智仁・安斉秀晃・川西英雄（工学院大） ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 |
AlN、GaN及びそれらの混晶半導体であるAlGaNなどの窒化物半導体では、基板との格子整合がとれていないことから、基板... [more] | ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 pp.21-24 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 11:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたLiAlO2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価 ○高木悠介・野沢浩一・山口智広・荒木 努・名西 憓之（立命館大） ED2008-157 CPM2008-106 LQE2008-101 |
今回、LiAlO2 (100)基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF-MBE法を用いて、LiAlO... [more] | ED2008-157 CPM2008-106 LQE2008-101 pp.25-28 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 13:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性 ○遠野充明・張 晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・和地順蔵（SCIVAX） ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102 |
ナノインプリント技術および反応性イオンエッチング(RIE)を用いて，p-GaN上に正三角形状に配置した周期的円柱パターン... [more] | ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102 pp.29-32 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 13:35 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減 ○本田 徹・小宮山重利・増山佳宏・渡邊謙二（工学院大） ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 |
GaN系集積型発光素子は、マイクロディスプレイなどへの応用が期待されている。これまでに高効率発光ダイオードがGaInN系... [more] | ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 pp.33-36 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 14:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ ○川口真生・田村聡之・油利正昭（パナソニック） ED2008-160 CPM2008-109 LQE2008-104 |
２次元アレイに適し、高出力かつ低電圧動作が可能な表面発光型GaN系半導体レーザを開発した。ファブリーペロー共振器を有する... [more] | ED2008-160 CPM2008-109 LQE2008-104 pp.37-40 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 14:35 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 400mW級GaN系青紫色半導体レーザ ○亀山真吾・久納康光・井下京治・井上大二朗・別所靖之・後藤壮謙・國里竜也（三洋電機） ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 |
青紫色レーザを光源とするBlu-rayディスクシステムの高速記録化・多層記録化の開発が進展している。これらのシステムを実... [more] | ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | P型伝導InN実現とその物性評価 ～ 現状と問題点について ～ ○吉川明彦・王 新強・崔 成伯・石谷善博（千葉大） ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 |
[more] | ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 pp.45-50 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオー... [more] | ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 pp.51-56 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード ○船戸 充・林 敬太・上田雅也・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 |
GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した．各ファセット面における量子... [more] | ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 pp.57-60 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 16:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaNのMOVPE成長中における基板の反り制御 ○小川原悠哉・生川満久・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2008-165 CPM2008-114 LQE2008-109 |
[more] | ED2008-165 CPM2008-114 LQE2008-109 pp.61-64 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 16:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価 ○片桐佑介・奥浦一輝・呉 潔君・三宅秀人・平松和政（三重大）・江崎哲也・桑野範之（九大） ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 |
[more] | ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 pp.65-70 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 ○野口憲路（理研/埼玉大/JST）・平山秀樹（理研/JST）・乗松 潤（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 |
波長210nm～350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に25... [more] | ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 pp.71-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED ○乗松 潤・平山秀樹・藤川紗千恵・野口憲路（理研/埼玉大/JST）・高野隆好（理研/パナソニック電工）・椿 健治（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] | ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 pp.77-82 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] | ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 pp.83-88 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析 ○平子 晃・市川晶也・中村健一・大川和宏（東京理科大） ED2008-170 CPM2008-119 LQE2008-114 |
我々はこれまでにGaNおよびAlNのMOVPE法における反応過程を熱化学流体計算で解析してきた。AlN成長では原料の急激... [more] | ED2008-170 CPM2008-119 LQE2008-114 pp.89-92 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaNの2種の柱面からの発光特性 ○蟹江 壽・明石健一・積木秀実（東京理科大） ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 |
青色のカソードルミネッセンス(CL)を示すInGaN 結晶をGaN とIn 硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと... [more] | ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 pp.93-96 |
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