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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-07-17 to:2008-07-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ ○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝） SDM2008-129 ICD2008-39 |
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFET... [more] | SDM2008-129 ICD2008-39 pp.7-10 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:50 |
東京 | 機械振興会館 | 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減 ○筒井 元・角田一晃・刈谷奈由太・秋山 豊・阿部倫久・丸山信也・深瀬 匡・鈴木三惠子・山縣保司・今井清隆（NECエレクトロニクス） SDM2008-130 ICD2008-40 |
[more] | SDM2008-130 ICD2008-40 pp.11-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ） SDM2008-131 ICD2008-41 |
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] | SDM2008-131 ICD2008-41 pp.17-22 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 高信頼なLSIを実現するための微小遅延欠陥検出技術 ○野口宏一朗・野瀬浩一（NEC）・尾野年信（NECエレクトロニクス）・水野正之（NEC） SDM2008-132 ICD2008-42 |
プロセスの微細化によるチップの高集積化に伴い、微小遅延故障がチップの信頼性を下げる大きな要因の一つになっている。我々はＬ... [more] | SDM2008-132 ICD2008-42 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンパクトモデルの進化 ～ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ～ ○大黒達也（東芝/広島大）・三浦道子（広島大） SDM2008-133 ICD2008-43 |
LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたV... [more] | SDM2008-133 ICD2008-43 pp.29-34 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］究極の集積化を目指すスーパーチップ技術 ○小柳光正・田中 徹（東北大） SDM2008-134 ICD2008-44 |
[more] | SDM2008-134 ICD2008-44 pp.35-40 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 ○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰 利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山 悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ） SDM2008-136 ICD2008-46 |
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] | SDM2008-136 ICD2008-46 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法 ○廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2008-137 ICD2008-47 |
[more] | SDM2008-137 ICD2008-47 pp.53-58 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ～ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ～ ○藤田 忍（東芝） SDM2008-138 ICD2008-48 |
将来、シリコン（Si）CMOSを置き換える新材料(ポストSi)素子が期待される。本論文では、素子と回路のCo-desig... [more] | SDM2008-138 ICD2008-48 pp.59-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討 ○鶴窪 淳・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2008-139 ICD2008-49 |
[more] | SDM2008-139 ICD2008-49 pp.65-70 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | リアルタイムスケジューリングを用いたシステムLSI電源電圧の低電力化の検討 ○佐藤賢和・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2008-140 ICD2008-50 |
システムLSIでの処理に対して固定優先度スケジューリングを適用した場合、スケジューリング方法・処理内容により低電力化でき... [more] | SDM2008-140 ICD2008-50 pp.71-76 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 09:50 |
東京 | 機械振興会館 | 突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術 ○中山耕一・川崎健一・塩田哲義・井上淳樹（富士通研） SDM2008-141 ICD2008-51 |
低消費電力SoC向けに1μs以内で電源復帰可能なパワーゲーティング技術を開発した。本技術の特徴は、電源復帰時に発生する電... [more] | SDM2008-141 ICD2008-51 pp.77-82 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CMOS技術によるバイオメディカルフォトニックデバイス ○徳田 崇・太田 淳（奈良先端大） SDM2008-142 ICD2008-52 |
CMOS集積回路を用いたバイオメディカルフォトニックデバイス、特に埋め込みでの応用を目指した取り組みについて紹介し、現在... [more] | SDM2008-142 ICD2008-52 pp.83-88 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］無線/光配線による三次元集積の課題と展望 ○岩田 穆・横山 新（広島大） SDM2008-143 ICD2008-53 |
集積規模拡大,性能向上のために有効な三次元集積では積層チップ間インタコネクションが重要課題である．現在，ワイヤボンディン... [more] | SDM2008-143 ICD2008-53 pp.89-94 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］集積化MEMSのRF CMOSへの期待 ○益 一哉（東工大） SDM2008-144 ICD2008-54 |
[more] | SDM2008-144 ICD2008-54 pp.95-96 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 ～ BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討 ～ ○渡辺重佳・菅野孝一・玉井翔人（湘南工科大） SDM2008-145 ICD2008-55 |
[more] | SDM2008-145 ICD2008-55 pp.97-102 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
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