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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2023-12-07 14:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 ○近藤 駿（成蹊大/産総研）・中野武雄・モハメッド シュルズ ミヤ（成蹊大）・長尾昌善・村田博雅（産総研）  ED2023-41 |
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法（t-HPPMS）を用いたスピント型エミ... [more] | ED2023-41 pp.11-14 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| CPM | 2019-08-26 14:20 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | スパッタ法によるAZO膜堆積のための導電性酸化物焼結ターゲットの作製 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大） CPM2019-39 |
本検討では，1500℃及び1600℃にて焼結させたZnOに2wt.%のAl2O3を添加した導電性を有するAZO焼結体を作... [more] | CPM2019-39 pp.9-12 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 14:50 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | スパッタ法によるZnとAZOによる二層膜の検討 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望（新潟大） CPM2018-45 |
Ⅲ族元素をドープしたZnOの薄膜は，低抵抗の膜となることから，ITO薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている。そ... [more] | CPM2018-45 pp.21-24 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| ED | 2012-11-19 15:55 |
大阪 | 阪大中之島センター | スパッタプロセスを用いたスピント型電子源の作製 ○吉田知也・長尾昌善・神田信子・西 孝（産総研）・中野武雄（成蹊大） ED2012-58 |
従来のスピント型電子源作製プロセスを改良した新しいFEA作製プロセスを提案する．本提案プロセスでは，従来法の電子ビーム蒸... [more] | ED2012-58 pp.19-23 |
| US | 2012-09-24 14:45 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 ○生駒 遼（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・高柳真司（同志社大）・鈴木雅視（名工大）・小田川裕之（熊本高専）・松川真美（同志社大） US2012-61 |
ZnO結晶のc軸方向には極性があり，通常，スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] | US2012-61 pp.21-25 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:45 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 |
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] | ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 pp.39-42 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ○丹羽彬夫・以西雅章・中村光宏・野口貴史（静岡大） ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 |
RFマグネトロンスパッタリング法により，Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している．本研究では，様々な条件で薄... [more] | ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 pp.99-104 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 15:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | TiO2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果 ○以西雅章・中村郁太・稗田祐貴・深澤史也（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40 |
あらまし 本研究は、RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に銅と鉄を助触媒として担持することで光触... [more] | ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40 pp.105-109 |
| CPM | 2011-08-11 09:25 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製 ○梅原 猛・野毛 悟（沼津高専） CPM2011-67 |
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する．放電ガスAr中に反応性ガス$O_2... [more] | CPM2011-67 pp.55-60 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果 ○野本淳一・平野友康・宮田俊弘・南 内嗣（金沢工大） EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 |
直流マグネトロンスパッタ法を用いて作製するZnO系透明導電膜の基板上での抵抗率分布の改善及び低抵抗率化を目的として、極め... [more] | EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 pp.17-21 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 pp.135-138 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 ○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41 |
RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に白金を担持させ、光触媒特性を比較・評価した。白金を助触媒と... [more] | ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41 pp.139-143 |
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