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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:15 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 ○大野泰夫・伊藤弘子・平岡知己（レーザーシステム）・東脇正高（阪公立大）  ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 |
マイクロ波電力伝送の受電回路で用いられるショットキーバリアダイオードの回路特性を解析した。高周波の整流回路では、直流的な... [more] | ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 pp.33-36 |
| SDM | 2022-02-04 09:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］タイムラグ法を用いた極薄PVD-Co(W)薄膜の定量的バリア性評価 ○百瀬 健・金 泰雄・鄧 玉斌・出浦桃子（東大）・松尾 明・山口述夫（キヤノンアネルバ）・霜垣幸浩（東大） SDM2021-74 |
半導体集積回路のCu配線における極薄バリアの開発には，バリア性を定量的かつ簡潔に評価する手法が不可欠である。そのため我々... [more] | SDM2021-74 pp.1-4 |
| CPM | 2020-10-29 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム ○武山真弓（北見工大）・安田光伸（東レリサーチセンター）・佐藤 勝（北見工大） CPM2020-14 |
Si-LSIにおけるCu配線あるいは3次元LSIにおけるTSVなどの配線は、高い信頼性を持つ配線を形成するためにエレクト... [more] | CPM2020-14 pp.11-14 |
| SDM | 2019-10-24 09:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes ○Linghan Chen・Junichi Koike・Daisuke Ando・Yuji Sutou（Tohoku Univ.） SDM2019-59 |
[more] | SDM2019-59 pp.29-33 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 15:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大） CPM2018-46 |
Ｓi-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、T... [more] | CPM2018-46 pp.25-28 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-07-10 16:35 |
東京 | 早稲田大学 | ［招待講演］固体磁気メモリの現状と新材料開発 ○三谷誠司（物質・材料研究機構） |
MRAMや不揮発ロジックへの応用のための強磁性トンネル接合に係る材料開発の現状を、素子及びデバイス開発の動向・問題点とと... [more] | |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
| CPM | 2013-08-02 10:55 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2013-51 |
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる... [more] | CPM2013-51 pp.63-68 |
| CPM | 2013-08-02 11:15 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | Cu/SiコンタクトにおけるTaWN3元合金膜のバリヤ特性 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） CPM2013-52 |
Si-LSIの分野においては、高い信頼性のCu配線を実現するために、高い熱的安定性と構造安定性を持つバリヤ材料が求められ... [more] | CPM2013-52 pp.69-72 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes ○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.） |
[more] | |
| SDM | 2012-03-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 ○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大） SDM2011-180 |
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] | SDM2011-180 pp.25-29 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST） ED2010-107 SDM2010-108 |
[more] | ED2010-107 SDM2010-108 pp.249-252 |
| CPM | 2009-08-11 10:50 |
青森 | 弘前大学 | ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・早坂祐一郎・青柳英二（東北大）・野矢 厚（北見工大） CPM2009-43 |
先に我々は、ZrB2 という新たな材料の基本的な特性を評価したが、その際ZrB2 膜は、下地基板の導電性によって、その抵... [more] | CPM2009-43 pp.51-55 |
| OME | 2009-07-23 15:10 |
長野 | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 | 内部光電子放出法を用いたAlq3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価 ○高石真也・伊東栄次（信州大） OME2009-32 |
本研究ではITO/TiO2/IL/Alq3/陰極構造の“electron-only device”を作成して、内部光電子... [more] | OME2009-32 pp.19-24 |
| SCE | 2008-07-24 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | μmスケールのNb-SIS接合とNbTiN-マイクロストリップ線路がそれぞれ水晶基板に直接接する構造を有するSISミクサ素子 ○遠藤 光（東大/国立天文台/学振）・野口 卓・クロッグ マティアス（国立天文台）・シトフ セルゲイ（国立天文台/高周波電子工学研）・単 文磊（紫金山天文台）・田村友範（国立天文台）・小嶋崇文（国立天文台/阪府大）・鵜沢佳徳・酒井 剛（国立天文台）・井上裕文（東大/国立天文台）・河野孝太郎（東大） SCE2008-17 |
SIS接合と薄膜伝送線路に異なる材料を採用したSIS素子の、新しい構造と製法について報告する。このSIS素子の構造上の特... [more] | SCE2008-17 pp.13-18 |
| CPM | 2007-11-16 16:10 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 ○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢 厚（北見工大） CPM2007-111 |
Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で... [more] | CPM2007-111 pp.35-38 |
| SDM | 2007-10-05 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 ○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） SDM2007-183 |
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とC... [more] | SDM2007-183 pp.31-34 |
| OME, EID (共催) |
2007-03-05 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ～ ホール輸送障壁と結晶内有効質量 ～ ○松原亮介・中村雅一・工藤一浩（千葉大） |
有機TFTの特性は電極に起因する様々な影響によって制限される。これに対し我々は、電極の影響を取り除き、材料の真の移動度を... [more] | OME2006-133 EID2006-90 pp.7-11 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 14:55 |
京都 | 京都大学 | GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード ○田沼伸久・久保田 稔・鷹野致和（明星大） |
ミリ波周波数逓培器用の素子としてヘテロ障壁型可変容量ダイオード(HBV)が注目されている．これまで障壁層にはGaAs系の... [more] | ED2006-171 CPM2006-108 LQE2006-75 pp.103-106 |
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