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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション ○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大）  SDM2019-33 |
超格子GeTe/Sb2Te3は次世代不揮発性メモリとして期待されているInterfacial Phase Change ... [more] | SDM2019-33 pp.39-42 |
| SDM | 2018-06-25 15:55 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 ○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） SDM2018-24 |
[more] | SDM2018-24 pp.37-41 |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| SDM | 2014-06-19 13:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大） SDM2014-52 |
MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷... [more] | SDM2014-52 pp.49-53 |
| SDM | 2014-06-19 14:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 ○藤田弦暉・塩川太郎（筑波大）・高田幸宏（東京理科大）・小鍋 哲（筑波大）・村口正和（東北大）・山本貴博（東京理科大）・遠藤哲郎（東北大）・初貝安弘（筑波大）・白石賢二（名大） SDM2014-53 |
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] | SDM2014-53 pp.55-58 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
| SDM | 2013-11-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］計算科学に基づく電子デバイス設計の現状 ○白石賢二（名大） SDM2013-101 |
最近の計算科学は材料・デバイス開発においても大きな役割を占めるようになってきている。中でも第一原理計算に代表される物質設... [more] | SDM2013-101 pp.9-14 |
| SDM | 2013-06-18 11:55 |
東京 | 機械振興会館 | MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 ○白川裕規・山口慶太・神谷克政・白石賢二（筑波大） SDM2013-52 |
[more] | SDM2013-52 pp.43-46 |
| SDM | 2011-11-11 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～ ○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） SDM2011-123 |
キャリア輸送のチャネル形状依存性をモンテカルロ／分子動力学（EMC/MD）シミュレーションにより調査した．非対称なホーン... [more] | SDM2011-123 pp.45-50 |
| SDM | 2011-07-04 11:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作（筑波大）・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・白石賢二・○野村晋太郎（筑波大） SDM2011-56 |
発光顕微分光法によりSiナノワイヤー、ナノレイヤの発光特性を評価した．膜厚2.7~25.2 nmの極薄SOI試料の発光ス... [more] | SDM2011-56 pp.35-39 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Theoretical Study of the Hydrogen Effect on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories Akira Otake・○Keita Yamaguchi・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2010-100 SDM2010-101 |
Due to the aggressive scaling of non-volatile memories, “cha... [more] | ED2010-100 SDM2010-101 pp.221-224 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] | ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 pp.47-50 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura（Univ. of Tsukuba.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2009-93 SDM2009-88 |
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] | ED2009-93 SDM2009-88 pp.185-188 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| SDM | 2008-06-10 13:45 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究 ○白石賢二・小林賢司（筑波大）・石田 猛・奥山 裕・山田廉一（日立） SDM2008-55 |
[more] | SDM2008-55 pp.77-82 |
| SDM | 2007-06-07 13:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 ○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大） SDM2007-31 |
MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）型不揮発性メモリーの高信頼化を目的に，M... [more] | SDM2007-31 pp.1-6 |
| SDM | 2007-06-07 15:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 ○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大） SDM2007-35 |
SiO2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されてい... [more] | SDM2007-35 pp.23-26 |
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