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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 11:30 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | フレキシブル基板上カーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と作製 ○松浦智紀・鹿嶋大雅・廣谷 潤・岸本 茂・大野雄高（名大）  ED2017-107 SDM2017-107 |
[more] | ED2017-107 SDM2017-107 pp.15-18 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 11:55 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | カーボンナノチューブバイオセンサの電気的特性に対する電解液の影響 ○長谷川加奈・牛山拓也・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2017-108 SDM2017-108 |
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜電界効果トランジスタのバイオセンサ応用において、電解液中の電気的特性を理解することが重... [more] | ED2017-108 SDM2017-108 pp.19-22 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 15:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | カーボンナノチューブ薄膜を用いた流体発電の発電機構の理解と高出力化 ○西 涼平・岸本 茂（名大）・片浦弘道（産総研）・大野雄高（名大） ED2017-111 SDM2017-111 |
[more] | ED2017-111 SDM2017-111 pp.31-34 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 14:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | カーボンナノチューブ薄膜を用いた神経伝達物質の高感度な電気化学的検出 ○牛山拓也・グエン シュアン ヴィエット・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2016-137 SDM2016-154 |
カーボンナノチューブ(CNT)の薄膜を電極に用いて、神経伝達物質の電気化学的検出を行った。CNT櫛形電極を作製し、基本的... [more] | ED2016-137 SDM2016-154 pp.41-45 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 15:55 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | カーボンナノチューブ薄膜/電解質液体界面の相互作用を用いた発電素子の評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2016-139 SDM2016-156 |
[more] | ED2016-139 SDM2016-156 pp.53-56 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-04 10:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | プラスチックフィルム上に作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの大規模特性評価 ○廣谷 潤・岸本 茂・大野雄高（名大） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 16:35 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | カーボンナノチューブ薄膜への電界集中効果によるOLEDのキャリア注入増強 ○山田竜也・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2014-144 SDM2014-153 |
有機発光ダイオード(OLED)の透明電極としてカーボンナノチューブ(CNT)薄膜を用い、CNTへの電界集中効果を利用する... [more] | ED2014-144 SDM2014-153 pp.33-38 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-06 10:40 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 高速印刷技術を用いた微細トップゲート型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製 ○前田迪彦・樋口健太郎・岸本 茂（名大）・外村卓也・武居正史・畑 克彦（バンドー化学）・大野雄高（名大） ED2014-149 SDM2014-158 |
高速印刷技術であるフレキソ印刷を用いて、短チャネルのトップゲート型カーボンナノチューブ薄膜 トランジスタ(CNT TFT... [more] | ED2014-149 SDM2014-158 pp.63-67 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-06 11:30 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | フレキシブルカーボンナノチューブ集積回路の動作速度改善 ○三善利忠（名大）・カスケラ アンティ・ライホ パトリック・ナシブリン アルバート（アールト大）・岸本 茂（名大）・カウピネン エスコ（アールト大）・大野雄高（名大） ED2014-151 SDM2014-160 |
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜をチャネルとするCNT薄膜トランジスタにおいて、動作速度向上のため、遅延要因となる寄生... [more] | ED2014-151 SDM2014-160 pp.75-79 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 14:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2013-134 SDM2013-149 |
転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラ... [more] | ED2013-134 SDM2013-149 pp.13-18 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 15:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製 ○樋口健太郎（名大）・中嶋勇太・外村卓也・武居正史（バンドー化学）・岸本 茂（名大）・畑 克彦（バンドー化学）・大野雄高（名大） ED2013-135 SDM2013-150 |
高速な印刷法であるフレキソ印刷技術とカーボンナノチューブ転写技術を組み合わせ、高移動度なカーボンナノチューブ薄膜トランジ... [more] | ED2013-135 SDM2013-150 pp.19-24 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 09:50 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用 ○深谷徳宏（名大）・金 東榮（早大）・岸本 茂（名大）・野田 優（早大）・大野雄高（名大） ED2013-144 SDM2013-159 |
カーボンナノチューブ薄膜の微細パターンをプラスチックフィルム上に簡易に形成する技術を開発するとともに、それを用いて微細グ... [more] | ED2013-144 SDM2013-159 pp.67-71 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 12:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes ○Masaki Inagaki・Kensuke Hata・Kazunari Shiozawa・Yasumitsu Miyata・Yutaka Ohno・Shigeru Kishimoto・Hisanori Shinohara・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 13:25 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-156 SDM2011-173 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] | ED2011-156 SDM2011-173 pp.83-87 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] | ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 pp.185-190 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-197 SDM2010-232 |
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] | ED2010-197 SDM2010-232 pp.31-36 |
| ED | 2010-06-17 16:40 |
石川 | 北陸先端大 | トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕佑・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-41 |
[more] | ED2010-41 pp.41-45 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-205 SDM2009-202 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で，各種界面の特性を理解し，制御することが重要... [more] | ED2009-205 SDM2009-202 pp.53-58 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:55 |
北海道 | 北海道大学 | AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-231 SDM2008-223 |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置... [more] | ED2008-231 SDM2008-223 pp.41-46 |
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