| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳，○原 信二（名大） WPT2022-10 MW2022-10 |
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] | WPT2022-10 MW2022-10 pp.35-39 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] | ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 pp.27-30 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:35 |
京都 | 京大桂キャンパス | 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
ゲート－ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN H... [more] | ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の... [more] | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 pp.81-84 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重（芝浦工大） ED2012-123 MW2012-153 |
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性を２次元数値解析し，その結果... [more] | ED2012-123 MW2012-153 pp.57-62 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-124 MW2012-154 |
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] | ED2012-124 MW2012-154 pp.63-68 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 pp.29-32 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 pp.43-48 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2010-183 MW2010-143 |
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプ... [more] | ED2010-183 MW2010-143 pp.45-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 pp.63-66 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研... [more] | ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 pp.109-114 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2008-105 SDM2008-124 |
[more] | ED2008-105 SDM2008-124 pp.341-345 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響 ○丸井俊治・星 真一・森野芳昭・伊藤正紀・玉井 功・戸田典彦・大来英之・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2007-208 MW2007-139 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] | ED2007-208 MW2007-139 pp.11-15 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:50 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 ○中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，その結果より... [more] | ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70 pp.67-72 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析 高柳大樹・○板垣圭一・仲野博之・堀尾和重（芝浦工大） |
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したGaN MESFETの２次元過渡解析を行い，その結果より模擬的な... [more] | ED2005-199 MW2005-153 pp.1-6 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]