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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2023-11-01
15:10
兵庫 じばさんびる 502会議室(姫路) [招待講演]金属/絶縁体/有機半導体/金属接合における熱平衡および非熱平衡型電荷抽出
田島裕之小田丈志兵庫県立大)・角屋智史甲南大OME2023-47
本論文では金属/絶縁体/有機半導体/金属(MIOM)型接合コンデンサーが示す非熱平衡型電荷抽出の概念と実験的証拠について... [more] OME2023-47
pp.21-26
ICD 2023-04-11
13:20
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]複数ニューラルネットワークに対応したエンドポイントAI向け結晶性酸化物半導体3Dバンクメモリシステム
八窪裕人古谷一馬豊高耕平片桐治樹藤田雅史上妻宗広安藤善範黒川義元半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・山﨑舜平半導体エネルギー研ICD2023-10
酸化物半導体FETを用いた3次元積層メモリを用いた、小面積、低電力かつ複数のニューラルネットワークに対応した推論を可能と... [more] ICD2023-10
pp.18-23
IMQ, IE, MVE
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2023-03-17
10:45
沖縄 沖縄県青年会館(那覇市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Wiped-Rate Estimation for Semiconductor Manufacturing Using DNN Based on 3D Body Tracking
Takehiro NagataUniv. of Tsukuba)・Li-Wei ChengNCKU)・Hidehiko ShishidoUniv. of Tsukuba)・Hyejin KimChanya MahapunNaoki YoshiiTsuyoshi MoriyaTEL)・Itaru KitaharaUniv. of TsukubaIMQ2022-67 IE2022-144 MVE2022-97
 [more] IMQ2022-67 IE2022-144 MVE2022-97
pp.235-240
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
EE, IEE-SPC
(併催)
2022-03-10
15:20
ONLINE オンライン開催 21世紀初頭における日本エレクトロニクス企業の貸借対照表の動向
新井大輔米澤 遊今岡 淳山本真義名大EE2021-56
本稿は,過去のEE研(2021年11月18日、2022年1月28日開催)にて発表した内容の続編である.ウィズコロナ時代に... [more] EE2021-56
pp.23-28
SDM 2022-01-31
15:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング
黒川義元馬場晴之大下 智濱田俊樹安藤善範方堂涼太大野敏和廣瀬貴史國武廣司村川 努半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・小林正治東大)・吉田 宏Min-Cheng ChenPSMC)・Ming-Han LiaoNational Taiwan Univ.)・Shou-Zen ChangPSMC)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2021-72
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] SDM2021-72
pp.16-19
EE 2022-01-28
15:10
ONLINE オンライン開催 複式簿記から見たエルピーダメモリ株式会社の倒産
新井大輔米澤 遊今岡 淳山本真義名大EE2021-50
本稿は,前回のEE研(2021年11月18日開催)にて発表した内容の続編である.新型コロナ感染症の世界的拡大によって20... [more] EE2021-50
pp.106-111
OME 2022-01-07
14:05
大阪 中央電気俱楽部 213号室 nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性
西田直之服部励太郎永瀬 隆安達天規森川和慶小林隆史内藤裕義阪府大OME2021-48
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] OME2021-48
pp.4-8
SDM 2021-10-21
13:00
ONLINE オンライン開催 A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications
Eun-Ki HongShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2021-46
 [more] SDM2021-46
pp.8-11
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:25
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ
岩城江津子龍谷大)・津野拓海奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2020-4 SDM2020-38
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] EID2020-4 SDM2020-38
pp.13-16
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2018-08-23
15:55
北海道 小樽経済センター [招待講演]デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ~ その背景と課題さらにその展望 ~
小林敏夫芝浦工大R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった.その一... [more] R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
pp.31-36
ICD 2018-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI
小山 潤関 貴子八窪裕人大下 智古谷一馬石津貴彦熱海知昭安藤善範松林大介加藤 清奥田 高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研ICD2018-12
c軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm(85℃)という極めて小... [more] ICD2018-12
pp.47-52
OME 2017-11-17
13:00
大阪 大阪大学中之島センター [招待講演]トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発
永瀬 隆三田翔也塩野郁弥小林隆史内藤裕義阪府大OME2017-27
塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた... [more] OME2017-27
pp.1-6
SDM 2017-10-26
09:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ~ 半導体製造の歩留解析支援システム ~
赤堀浩史東芝メモリ)・中田康太折原良平水岡良彰高木健太郎東芝)・門多健一西村孝治田中祐加子江口英孝東芝メモリSDM2017-55
半導体製造における歩留解析では,製品の品質検査結果と各工程の処理装置履歴から不良の原因装置を特定し,対策に繋げることで生... [more] SDM2017-55
pp.31-33
NLP 2017-07-13
14:55
沖縄 宮古島マリンターミナル大研修室 半導体レーザカオスを用いた意思決定における記憶係数による適応性と収束性
巳鼻孝朋寺島悠太埼玉大)・成瀬 誠NICT)・金 成主物質・材料研究機構)・内田淳史埼玉大NLP2017-35
本研究では,高速振動する半導体レーザカオスの時間波形を用いて,綱引き理論に基づく意思決定の数値計算による評価を行った.特... [more] NLP2017-35
pp.41-46
SDM 2017-02-06
13:00
東京 東京大学/本郷 [招待講演]超長期保管メモリ・システムの必要性とその課題 ~ デジタル時代の和紙を目指して ~
小林敏夫芝浦工大SDM2016-142
電子技術,デジタル技術のもたらす大きな利便性と処理能力のため,創生される情報量は爆発的に増加している.それに伴い保存すべ... [more] SDM2016-142
pp.17-22
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:25
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計
松井千尋山賀祐典杉山佑輔竹内 健中大CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72
さまざまな種類のデータを高速に処理するために,ストレージクラスメモリ(SCM),multi-level cell (ML... [more] CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72
pp.7-10
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
09:30
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製
尹 聖民金 昭淨朴 珉智尹 多貞慶熙大SDM2016-12 OME2016-12
可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電... [more] SDM2016-12 OME2016-12
pp.49-52
ICD 2015-04-17
10:50
長野 信州大学 [招待講演]Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ
松嵜隆徳大貫達也長塚修平井上広樹石津貴彦家田義紀坂倉真之熱海知昭塩野入 豊加藤 清奥田 高山元良高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・小山 潤山崎舜平半導体エネルギー研ICD2015-9
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide... [more] ICD2015-9
pp.39-44
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