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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ | 2023-06-09 12:50 |
北海道 | 小樽経済センター （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
FR-4基板のリバースエンジニアリングモデルを用いたFDTD解析手法 ○井出隼人（長野高専）・北澤太基・林 優一（奈良先端大）・春日貴志（長野高専）  EMCJ2023-19 |
情報機器に実装されている外部接続用のUSBやHDMIコネクタの通信速度が高速化している．しかしながら，実使用環境下でコネ... [more] | EMCJ2023-19 pp.36-41 |
| AP | 2022-08-19 10:30 |
栃木 | 栃木県産業会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
端部GNDの追加によるパッチアンテナの指向性向上 ○小村 良・山田良樹（村田製作所） AP2022-64 |
近年，スマートフォンの5G対応が活発化しており，ミリ波モジュールが搭載された端末も増えてきている．ミリ波モジュールは端末... [more] | AP2022-64 pp.1-5 |
| AP, SANE, SAT (併催) |
2020-07-15 13:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 新たな構造を用いて薄型化したMACKEY IIの研究 ○宮下圭介・田村俊樹・牧野 滋・伊東健治（金沢工大） AP2020-12 |
機能的小型アンテナであるMACKEY 基本型（Wi-Fi 2.4GHz帯）は,自由空間だけでなく金属上でも動作することを... [more] | AP2020-12 pp.15-19 |
| CPM | 2017-10-04 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果 ○シャーマ ロヒト・保延賢人・高橋祐貴・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2017-59 |
ｒ面単結晶サファイア基板を用いてホットウォール化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor D... [more] | CPM2017-59 pp.1-4 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 10:30 |
愛媛 | 愛媛大学 | Co/Pt原子層積層スパッタ堆積による傾斜異方性膜の作製 ○本多直樹（東北工大）・日向慎太朗・齊藤 伸（東北大） MR2016-38 |
ビットパターン媒体用の弱傾斜磁気異方性膜の作製を検討した．初めに高Ms高垂直磁気異方性を持つCo/Pt積層膜の室温作製を... [more] | MR2016-38 pp.51-56 |
| AP | 2016-08-22 09:55 |
長崎 | 長崎大学 | リング型共振素子を用いたリフレクトアレーにおける高能率広帯域化 ○竹島健飛・牧野 滋・廣田哲夫・野口啓介・伊東健治（金沢工大）・塩出剛士・瀧川道生（三菱電機） AP2016-67 |
従来のリング型共振素子リフレクトアレーアンテナでは，中心周波数においては高能率設計法が確認されている．本報告では，従来の... [more] | AP2016-67 pp.1-6 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 13:25 |
東京 | 中央大学 | エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係 ○中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-14 |
L10構造を持つFePt合金膜を磁気記録媒体などに応用するためには，磁化容易軸であるc軸を膜面垂直方向に制御する必要があ... [more] | MR2016-14 pp.7-12 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-12-11 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | L10規則構造を持つFePt/FePd積層膜の形成 ○中村将大・落合亮真・野口陽平（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2015-32 |
L10構造を持つエピタキシャルFePt, FePd単層膜，FePt/FePd二層膜および多層膜を超高真空RFマグネトロン... [more] | MR2015-32 pp.57-62 |
| MW | 2013-12-19 16:45 |
埼玉 | 埼玉大学 | 平衡形円板共振器法による複素比誘電率の測定精度に関する検討 ○中堤 純（埼玉大）・小林禧夫（サムテック）・馬 哲旺（埼玉大） MW2013-163 |
平衡形円板共振器法は誘電体基板の垂直方向の複素誘電率(比誘電率εrn, 誘電正接tanδn)の測定に用いられる。現在、1... [more] | MW2013-163 pp.71-76 |
| AP, SAT (併催) |
2013-07-23 15:55 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 金属板装荷キャパシタンスグリッドを用いたAMC基板上に置かれたダイポールアンテナの特性 ○林 秀幸・牧野 滋・別段信一・野口啓介・廣田哲夫・伊東健治（金沢工大）・諸谷徹郎（金沢高専） AP2013-51 |
金属板装荷キャパシタンスグリッドを用いたAMC 基板においては，使用できる帯域は設計パラメータで ある誘電体の比誘電率... [more] |
AP2013-51 pp.29-32 |
| EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT (共催) [詳細] |
2013-07-18 09:55 |
北海道 | 稚内総合文化センター | 空孔付ポスト壁導波路の挿入損失の基板厚依存性 ○鈴木達也・須賀良介・橋本 修（青学大） MW2013-49 OPE2013-18 EST2013-13 MWP2013-8 |
本稿では，空孔付ポスト壁導波路における伝送損及び放射損の基板厚依存性について評価した．その結果，基板が厚いと伝送損失は改... [more] | MW2013-49 OPE2013-18 EST2013-13 MWP2013-8 pp.7-11 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| MW | 2012-11-22 10:45 |
沖縄 | 石垣島 | 誘電体基板測定用平衡形円板共振器法の測定可能範囲に関する検討 ○小林禧夫（サムテック） MW2012-121 |
同軸励振平衡形円板共振器法は、マルチ共振モードを用いることにより誘電体基板の垂直方向の複素誘電率の周波数依存性を測定でき... [more] | MW2012-121 pp.47-50 |
| CPM | 2012-10-26 17:05 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 高木達也・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） CPM2012-101 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし... [more] | CPM2012-101 pp.45-48 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2012-06-22 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ～ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ～ ○小柳貴寛・里本宗一・佐藤 魁・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネル... [more] | EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34 pp.13-18 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸... [more] | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 pp.15-18 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:55 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃... [more] | ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 pp.19-23 |
| MW | 2011-12-16 11:45 |
山口 | 山口大学 | ハニカム誘電体基板集積導波管（HCSIW）とSIW回路素子設計への応用 ○池内裕章・太田 勲（兵庫県立大）・岸原充佳（岡山県立大）・河合 正（兵庫県立大） MW2011-137 |
本論文は，基板に垂直に多数の円孔（空気ポスト）が上下面の導体も貫通した構造をもつ誘電体基板集積導波管（SIW）を取り扱っ... [more] | MW2011-137 pp.65-70 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 11:15 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 低転位GaN基板上縦型HFET ○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工） ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 |
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] | ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 pp.67-70 |
| AP, RCS (併催) |
2010-11-10 13:10 |
福井 | 福井大学 | 誘電体層を用いたループ型AMCの低姿勢設計 ○村上靖宜・堀 俊和・川上由紀・藤元美俊（福井大）・山口 良・長 敬三（NTTドコモ） AP2010-91 |
現在，完全磁気導体(PMC; Perfect Magnetic Conductor)の特性を持つ人工磁気導体(AMC; ... [more] | AP2010-91 pp.1-4 |
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