| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 強磁性粒界材を有するグラニュラキャップ層を用いたCoPt基フルグラニュラ媒体の反転磁界および表面制御 ○タム キム コング・櫛引了輔・鎌田知成（田中貴金属）・斉藤 伸（東北大）  MRIS2020-2 |
様々なGd2O3含有量のCoPt-Gd2O3グラニュラキャップ層（CL）を備えたフルグラニュラ媒体の磁気特性と微細組織を... [more] | MRIS2020-2 pp.6-11 |
| EA, US (併催) |
2019-01-22 14:00 |
京都 | 同志社大学 | ［ポスター講演］非平面状振動面を有する縦振動子に近接する板状物体への諸作用の観察 ○青野浩平・青柳 学（室蘭工大） US2018-92 |
縦振動子の振動面上に置かれた板状物体には近距離場音波浮揚現象(NFAL)が観察できる。しかし，縦振動子の振動面が非平面で... [more] | US2018-92 pp.65-70 |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大） SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| EMD | 2018-05-18 13:05 |
北海道 | 室蘭工業大学 | 自動車燃料ポンプ用直流モータのブラシおよび整流子のアーク消耗を考慮した摩耗モデル ○澤 孝一郎・渡辺克忠・上野貴博（日本工大） EMD2018-1 |
自動車燃料ポンプ駆動のDCモータには、カーボンフラット整流子とカーボンブラシが用いられている。それらの摩耗には、多くの場... [more] | EMD2018-1 pp.1-6 |
| SDM | 2017-10-25 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利（東北大） SDM2017-51 |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] | SDM2017-51 pp.9-14 |
| SDM | 2017-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2017-52 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの... [more] | SDM2017-52 pp.15-19 |
| AP, SAT, SANE (併催) |
2017-07-26 15:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 平板構造を有する電波吸収体の特性に関する基礎検討 ○石井佑佳・道下尚文・森下 久（防衛大） AP2017-47 |
本稿では，平板構造を有する電波吸収体の特性に関する検討を行った．近年，電波の混信を抑制するために様々な電波吸収体が開発さ... [more] | AP2017-47 pp.13-18 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 11:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | L10-FePt薄膜の表面形態と結晶性に及ぼす下地層の影響 ○清水智貴・中村将大・落合亮真（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-40 |
L10構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには，膜表面平坦性を制御する必要がある．しかしな... [more] | MR2016-40 pp.63-67 |
| SDM | 2016-10-27 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2016-76 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究で... [more] | SDM2016-76 pp.39-44 |
| AP, RCS, WPT, SAT (併催) |
2015-11-06 14:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 | 面上可動型の近距離電磁界伝送方式 ○山中拓也（電通大）・小玉彰広（海洋電子工業）・高崎和之（都立産技高専）・唐沢好男（電通大） WPT2015-62 |
筆者らのグループでは，近距離での無線電磁界伝送に関する研究を行ってきた． しかし，電極位置（中心軸）が不一致の場合に無... [more] |
WPT2015-62 pp.85-90 |
| SDM | 2015-10-29 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2015-72 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2015-72 pp.7-12 |
| SDM | 2015-10-29 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 ○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-73 |
MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は，デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する．近年開発が盛... [more] | SDM2015-73 pp.13-16 |
| SDM | 2015-10-29 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性 ○後藤哲也・黒田理人・諏訪智之・寺本章伸・小原俊樹・木本大幾・須川成利（東北大）・鎌田 浩・熊谷勇喜・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2015-74 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] | SDM2015-74 pp.17-22 |
| SDM | 2014-10-16 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2014-85 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] | SDM2014-85 pp.7-12 |
| SDM | 2014-10-16 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2014-86 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2014-86 pp.13-17 |
| MI | 2014-01-26 13:30 |
沖縄 | 沖縄ぶんかテンブス館 | 脳溝特徴分布SDIに基づく新生児脳MRIの脳形状位置合わせ ○盛田健人（兵庫県立大）・小橋昌司・倉本 圭（兵庫県立大/阪大）・若田ゆき・安藤久美子・石蔵礼一（兵庫医科大）・石川智基（石川病院）・廣田省三（兵庫医科大）・畑 豊（兵庫県立大/阪大） MI2013-65 |
脳機能解析や VBM(voxel-based-morphometry)などにおいてMR画像を用いた個人脳間の画像位置合わ... [more] | MI2013-65 pp.53-58 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 | Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御 ○徐 倩茜・加藤剛志・岩田 聡・綱島 滋（名大） MR2009-62 |
マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオ... [more] | MR2009-62 pp.21-26 |
| EMD | 2009-11-20 09:20 |
東京 | 日本工業大学 神田キャンパス | DCモータにおけるカーボンフラット整流子の摩耗に関する検討 ○澤 孝一郎（慶大）・上野貴博・田中秀典（日本工大） EMD2009-89 |
ガソリンおよびエタノール中カーボンフラット整流子とブラシの摩耗についてこれまで報告して来た。 今回、ガソリン５０エタノ... [more] |
EMD2009-89 pp.87-91 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]