Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2008-1
［招待講演］マイクロレンズを利用したSi膜エキシマレーザ誘起結晶粒の位置制御
○葉 文昌・戴 漢昇（台湾科技大）・陳 信吉（台湾科技大/蘭陽技術学院）・陳 秉群（台湾科技大）
pp. 1 - 6
SDM2008-2
［招待講演］圧縮性流体及び衝撃波のPLAへの応用に関する研究
○屋我 実・福岡 寛・峰 秀樹（琉球大）・滝谷俊夫（日立造船）
pp. 7 - 12
SDM2008-3
Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜
○芹川 正（阪大）
pp. 13 - 16
SDM2008-4
ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化
○野口 隆・宮平知幸・川井健司（琉球大）・鈴木俊治・佐藤正輝（SEN）
pp. 17 - 22
SDM2008-5
ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価
○秋山浩司・渡邉一徳・浅野種正（九大）
pp. 23 - 26
SDM2008-6
UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価
○掛村康人・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・野口 隆（琉球大）
pp. 27 - 32
SDM2008-7
Si系薄膜光センサデバイス
○田井光春・昆野康隆・波多野睦子（日立）・宮沢敏夫（日立ディスプレイズ）
pp. 33 - 36
SDM2008-8
ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明
○河瀬和雅・本谷 宗・谷村純二（三菱電機）・津村直樹・長山顕祐・石賀展昭（メルコ・ディスプレイ・テクノロジー）・井上和式（三菱電機）
pp. 37 - 40
SDM2008-9
低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価
○曽根川富博・上原和浩・前濱剛廣（琉球大）
pp. 41 - 46
SDM2008-10
Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院）
pp. 47 - 50
SDM2008-11
強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ
○徳光永輔・柴田 宏・大岩朝洋・近藤洋平（東工大）
pp. 51 - 56
SDM2008-12
［招待講演］有機半導体材料の構造とFET特性
○阿澄玲子・近松真之・吉田郵司・八瀬清志（産総研）
pp. 57 - 60
SDM2008-13
原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上
○部家 彰・佐藤真彦・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大）
pp. 61 - 66
SDM2008-14
有機TFTにおけるデバイスシミュレーション ～ 構造依存性 ～
○沈 昌勲・服部励治・丸岡史人（九大）
pp. 67 - 72
SDM2008-15
［招待講演］Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化
○宇佐美徳隆・藤原航三・沓掛健太朗・中嶋一雄（東北大）
pp. 73 - 76
SDM2008-16
［招待講演］a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究
○板倉 賢・宮尾正信（九大）
pp. 77 - 82
SDM2008-17
次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長
○中尾勇兼・都甲 薫（九大）・野口 隆（琉球大）・佐道泰造（九大）
pp. 83 - 88
SDM2008-18
Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成
○吉本千秋・大参宏昌・志村考功・垣内弘章・渡部平司・安武 潔（阪大）
pp. 89 - 94
SDM2008-19
AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析
○池田賢一（九大）・廣田 健（三菱重工）・藤本健資（九大）・杉本陽平（セイコーエプソン）・高田尚記（東工大）・井 誠一郎（崇城大）・中島英治・中島 寛（九大）
pp. 95 - 100
SDM2008-20
金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 ～ 電界印加効果、触媒種効果 ～
○萩原貴嗣・都甲 薫・佐道泰造（九大）
pp. 101 - 106
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．