Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ICD2008-38
(100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察
○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 1 - 6
ICD2008-39
High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～
○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝）
pp. 7 - 10
ICD2008-40
45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減
○筒井 元・角田一晃・刈谷奈由太・秋山 豊・阿部倫久・丸山信也・深瀬 匡・鈴木三惠子・山縣保司・今井清隆（NECエレクトロニクス）
pp. 11 - 16
ICD2008-41
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ）
pp. 17 - 22
ICD2008-42
高信頼なLSIを実現するための微小遅延欠陥検出技術
○野口宏一朗・野瀬浩一（NEC）・尾野年信（NECエレクトロニクス）・水野正之（NEC）
pp. 23 - 28
ICD2008-43
［招待講演］コンパクトモデルの進化 ～ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ～
○大黒達也（東芝/広島大）・三浦道子（広島大）
pp. 29 - 34
ICD2008-44
［招待講演］究極の集積化を目指すスーパーチップ技術
○小柳光正・田中 徹（東北大）
pp. 35 - 40
ICD2008-45
［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向
○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete）
pp. 41 - 46
ICD2008-46
ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰 利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山 悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ）
pp. 47 - 52
ICD2008-47
独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法
○廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 53 - 58
ICD2008-48
カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ～ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ～
○藤田 忍（東芝）
pp. 59 - 64
ICD2008-49
サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討
○鶴窪 淳・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 65 - 70
ICD2008-50
リアルタイムスケジューリングを用いたシステムLSI電源電圧の低電力化の検討
○佐藤賢和・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 71 - 76
ICD2008-51
突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術
○中山耕一・川崎健一・塩田哲義・井上淳樹（富士通研）
pp. 77 - 82
ICD2008-52
［招待講演］CMOS技術によるバイオメディカルフォトニックデバイス
○徳田 崇・太田 淳（奈良先端大）
pp. 83 - 88
ICD2008-53
［招待講演］無線/光配線による三次元集積の課題と展望
○岩田 穆・横山 新（広島大）
pp. 89 - 94
ICD2008-54
［招待講演］集積化MEMSのRF CMOSへの期待
○益 一哉（東工大）
pp. 95 - 96
ICD2008-55
先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 ～ BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討 ～
○渡辺重佳・菅野孝一・玉井翔人（湘南工科大）
pp. 97 - 102
ICD2008-56
FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善
○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 103 - 108
ICD2008-57
極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝）
pp. 109 - 114
ICD2008-58
ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI）を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ～ ハイブリッド・ゲート構造 ～
大田裕之（富士通研）・川村和郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・福留秀暢（富士通研）・田島 貢・岡部堅一（富士通マイクロエレクトロニクス）・○池田圭司・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通研）
pp. 115 - 120
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．