Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2008-1
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成へのドーナツ円板の効果
○細川貴之・中村功一・細江俊介・酒井 里・以西雅章（静岡大）
pp. 1 - 6
ED2008-2
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成
○中村功一・細川貴之・酒井 里・細江俊介・以西雅章（静岡大）
pp. 7 - 10
ED2008-3
ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価
○山田典史・板倉巧周・倉地雄史・以西雅章（静岡大）
pp. 11 - 14
ED2008-4
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
○倉地雄史・板倉功周・山田典史・以西雅章（静岡大）
pp. 15 - 18
ED2008-5
RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成
○堀内郁志・以西雅章（静岡大）
pp. 19 - 22
ED2008-6
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成
○遠藤立弥・水地裕一・以西雅章（静岡大）
pp. 23 - 28
ED2008-7
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価
○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 29 - 34
ED2008-8
An ultrasonic method for synthesis of ZnO nanostructure on glass substrates
○Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
pp. 35 - 40
ED2008-9
Synthesis of single walled carbon nanotubes using Ultrasonic nebulizer
○Ishwor Khatri・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
pp. 41 - 46
ED2008-10
Growth of cupric oxide nanostructure by thermal oxidation of copper
○Jien-Bo Liang・Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.）
pp. 47 - 50
ED2008-11
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討
○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT）
pp. 51 - 56
ED2008-12
溝加工したAlN上AlGaNの転位解析
○森 俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤さき 勇（名城大）
pp. 57 - 60
ED2008-13
p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧
○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）
pp. 61 - 66
ED2008-14
Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性
○広森公一・石川博康・十倉史行・嶋中啓太・森 直人・森本智彦（名工大）
pp. 67 - 70
ED2008-15
温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長
○手嶋康将・鈴木堅志郎・成塚重弥・丸山隆浩（名城大）
pp. 71 - 74
ED2008-16
歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
○前多悠也・金 秀光・谷奥雅俊・渕 真悟・宇治原 徹・竹田美和・山本尚人・真野篤志・中川靖英・山本将博・奥見正治・中西 彊（名大）・坂 貴（大同工大）・堀中博道（阪府大）・加藤俊宏（大同特殊鋼）
pp. 75 - 80
ED2008-17
MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)
○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田 航・市橋 果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
pp. 81 - 84
ED2008-18
MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)
○市橋 果・山田 航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡 寛樹・仲島 甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
pp. 85 - 88
ED2008-19
電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法
○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大）
pp. 89 - 94
ED2008-20
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価
○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構）
pp. 95 - 100
ED2008-21
電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価
○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大）
pp. 101 - 106
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．