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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:15 |
京都 | 京都大学 | 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大）  EID2014-37 SDM2014-132 |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] | EID2014-37 SDM2014-132 pp.125-128 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| CAS, SIP, MSS, VLD, SIS (共催) [詳細] |
2014-07-11 13:40 |
北海道 | 北海道大学 | RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法 ○後藤智哉・柳澤政生・木村晋二（早大） CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 |
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み，プロセッサ内... [more] | CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40 pp.213-218 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| ICD | 2014-01-29 13:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［招待講演］半導体不揮発メモリを用いた次世代SSDの研究開発 ○上口 光（中大） ICD2013-135 |
近年NANDフラッシュメモリの低コスト化により，ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）がハードディスク（HDD）に取って... [more] | ICD2013-135 p.83 |
| SDM | 2013-06-18 14:35 |
東京 | 機械振興会館 | SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ～ MIS型およびpnダイオード型メモリ ～ ○須田良幸・小松辰己・山口伸雄・佐藤芳彦・山田有希乃・山下淳史・塚本貴広（東京農工大） SDM2013-57 |
金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体（MIS）型（構造）と金属/p型酸化物... [more] | SDM2013-57 pp.67-70 |
| DC | 2013-02-13 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 半断線故障検出のための信号遅延の特性評価 ○大栗裕人・四柳浩之・橋爪正樹（徳島大）・堤 利幸・山崎浩二（明大）・樋上善信・高橋 寛（愛媛大） DC2012-84 |
半断線故障が発生すると，故障配線の信号遅延により回路性能が低下する場合がある. しかし，故障配線に信号遷移を与える検査入... [more] | DC2012-84 pp.25-30 |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| NC, MBE (併催) |
2011-03-07 15:00 |
東京 | 玉川大学 | 複数の帯域通過型空間フィルタを有する視覚センサ ○安川真輔・奥野弘嗣・八木哲也（阪大） NC2010-139 |
複数の帯域通過型空間フィルタを有する視覚センサを構築した．本センサはAPS （active pixel sensor），... [more] | NC2010-139 pp.71-76 |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2010-12-10 15:35 |
愛知 | 中京大学 豊田キャンパス | 近接配置された分割導電膜と抵抗皮膜を用いたマイクロ波帯用薄型電波吸収体に関する検討 ○津田祐己・安住壮紀・橋本 修（青学大） EMCJ2010-96 |
本稿では，分割導電膜と抵抗皮膜を近接配置した構造を用いた薄型電波吸収体を提案し，そのアドミタンス特性に着目した検討を行っ... [more] | EMCJ2010-96 pp.87-92 |
| NC | 2010-10-23 14:30 |
福岡 | 九工大（北九州学研都市） | バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス ○赤穂伸雄・浅井哲也（北大）・柳田 剛・川合知二（阪大）・雨宮好仁（北大） NC2010-46 |
抵抗変化メモリ（resistive RAM: ReRAM）を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バ... [more] | NC2010-46 pp.23-28 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-14 16:15 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製 ○大宮翔吾・吉村 哲・江川元太・斉藤 準（秋田大） MR2010-27 |
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。 本薄膜をスピ... [more] |
MR2010-27 pp.31-36 |
| SDM | 2010-06-22 17:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ～ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ～ 上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST） SDM2010-48 |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] | SDM2010-48 pp.85-88 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| AP | 2008-10-16 14:50 |
宮城 | 東北学院大学 | UWB用抵抗装荷プリントモノポールアンテナの特性 ○金本幸司・笹森崇行・戸花照雄・礒田陽次（秋田県立大） AP2008-98 |
UWB無線システムは，非常に広い帯域幅にわたって電力を拡散させる無線システムであり，数百Mbps規模の高速通信を可能とす... [more] | AP2008-98 pp.23-28 |
| SDM | 2007-03-15 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 ○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] | SDM2006-255 pp.7-10 |
| SDM | 2007-03-15 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ ○須田良幸・長谷川宏巳（東京農工大） |
金属/SiO2/SiOx/SiC/Si MIS（金属‐絶縁体‐半導体）型の新しい構造からなる，抵抗変化型の不揮発性RAM... [more] | SDM2006-256 pp.11-14 |
| ICD | 2005-04-15 10:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア ○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） |
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え／読み出し回数による高信頼性... [more] | ICD2005-13 pp.1-6 |
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