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ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
VLD
,
DC
,
IPSJ-SLDM
(連催)
ICD
,
CPM
(共催)
CPSY
,
RECONF
(併催)
[詳細]
2014-11-26
11:35
大分
ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター)
65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価
○
曽根崎詠二
・
張 魁元
・
古田 潤
・
小林和淑
(
京都工繊大
)
VLD2014-84 DC2014-38
近年、プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている。
低消費電力の実現には、低電圧化が最も効果的で...
[more]
VLD2014-84
DC2014-38
pp.93-97
SDM
2013-11-14
15:50
東京
機械振興会館
[招待講演]量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション
○
鍾 菁廣
・
小田中紳二
(
阪大
)
SDM2013-105
量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)...
[more]
SDM2013-105
pp.31-36
ED
2012-12-18
11:15
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
テラヘルツ帯無線通信応用を目指した広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのモデリングと動作解析
○
浅川澄人
・
斉藤光史
・
須原理彦
(
首都大東京
)
ED2012-105
共鳴トンネルダイオード(RTD)をテラヘルツ帯動作デバイスとして無線通信システムへの応用を真摯に考える際, RTD集積構...
[more]
ED2012-105
pp.69-74
SDM
2012-12-07
10:00
京都
京都大学(桂)
超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
○
梶 直樹
・
丹羽弘樹
・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
SDM2012-115
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju...
[more]
SDM2012-115
pp.1-5
SDM
2012-12-07
13:30
京都
京都大学(桂)
デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析
○
浦川 哲
・
上岡義弘
・
山崎はるか
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
SDM2012-125
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として,薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が...
[more]
SDM2012-125
pp.59-64
SDM
2012-11-16
14:15
東京
機械振興会館
Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
○
福田浩一
・
森 貴洋
・
水林 亘
・
森田行則
・
田邊顕人
・
昌原明植
・
安田哲二
・
右田真司
・
太田裕之
(
産総研
)
SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所...
[more]
SDM2012-111
pp.63-68
SDM
2011-12-16
11:00
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
○
丹羽弘樹
・
馮 淦
・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
SDM2011-135
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT...
[more]
SDM2011-135
pp.17-21
SDM
,
OME
(共催)
2010-04-23
11:40
沖縄
沖縄県青年会館
a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
○
坂本明典
・
野口 隆
(
琉球大
)・
大鉢 忠
(
同志社大
)・
大城文明
・
ジョン デ ディウ ムジラネザ
(
琉球大
)
SDM2010-5 OME2010-5
水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)と単結晶シリコン(c-Si)のPINフォトセンサにおいて、光電流の照射強度とi...
[more]
SDM2010-5
OME2010-5
pp.19-22
ED
,
MW
(共催)
2010-01-14
14:05
東京
機械振興会館
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析
○
林 慶寿
・
岸本 茂
・
水谷 孝
(
名大
)
ED2009-186 MW2009-169
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa...
[more]
ED2009-186
MW2009-169
pp.65-70
OME
,
EID
(共催)
2009-03-06
15:40
東京
機械振興会館
デバイスシミュレーターを用いた有機半導体中の電気伝導式の導出
○
服部励治
・
李 相根
(
九大
)
EID2008-89 OME2008-100
有機半導体中の電流-電圧特性に関わる理論式をショットキー障壁接合での拡散モデルに基づく電荷注入式とプール・フレンケル移動...
[more]
EID2008-89
OME2008-100
pp.33-36
LQE
,
ED
,
CPM
(共催)
2008-11-28
11:40
愛知
名古屋工業大学
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ~ HfO2/AlGaN界面の影響 ~
○
林 慶寿
・
杉浦 俊
・
岸本 茂
・
水谷 孝
(
名大
)
ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特...
[more]
ED2008-175
CPM2008-124
LQE2008-119
pp.115-120
SDM
[詳細]
2008-11-14
10:00
東京
機械振興会館
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ~ 強安定収束シミュレータの開発 ~
○
桜井清吾
・
朱 日明
・
佐藤昌宏
・
山口 憲
(
アドバンスソフト
)
SDM2008-173
本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミ...
[more]
SDM2008-173
pp.27-32
SDM
[詳細]
2008-11-14
15:00
東京
機械振興会館
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
○
鎌倉良成
・
ミリニコフ ゲナディ
・
森 伸也
(
阪大
)・
江崎達也
(
広島大
)
SDM2008-179
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー...
[more]
SDM2008-179
pp.61-66
SDM
2007-12-14
11:00
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析
○
葛岡 毅
・
辻 博史
・
桐原正治
・
鎌倉良成
・
谷口研二
(
阪大
)
SDM2007-225
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について,2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った...
[more]
SDM2007-225
pp.15-18
SDM
2007-12-14
16:20
奈良
奈良先端科学技術大学院大学
傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード
○
日吉 透
(
京大
)・
堀 勉
(
日立
)・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)
SDM2007-233
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー...
[more]
SDM2007-233
pp.47-50
CPM
,
ED
,
LQE
(共催)
2007-10-12
10:50
福井
福井大学
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
○
中島 敦
・
堀尾和重
(
芝浦工大
)
ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,その結果より...
[more]
ED2007-169
CPM2007-95
LQE2007-70
pp.67-72
SDM
,
VLD
(共催)
2006-09-26
13:00
東京
機械振興会館
3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善
○
金村貴永
・
泉田貴士
・
青木伸俊
・
近藤正樹
・
伊藤早苗
・
遠田利之
・
岡野王俊
・
川崎博久
・
八木下淳史
・
金子明生
・
稲葉 聡
・
中村光利
・
石丸一成
・
須黒恭一
・
江口和弘
(
東芝
)
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル...
[more]
VLD2006-43
SDM2006-164
pp.25-29
ICD
,
CPM
(共催)
2005-01-27
13:30
東京
機械振興会館
90nmデバイスのLVP測定容易性評価とLVP測定用素子の開発
○
野中淳平
・
和田慎一
(
NECエレクトロニクス
)
90nm以降のプロセスでは、トランジスタサイズがLVPで使用されるレーザ波長の回折限界に到達するため、LVP測定が困難に...
[more]
CPM2004-156
ICD2004-201
pp.7-12
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