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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 16:05 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | ［招待講演］テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・徐 照男・杉山弘樹・佐々木太郎・高橋宏行・中島史人（NTT）  ED2022-76 MWPTHz2022-47 |
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており，その周波数帯の一候補... [more] | ED2022-76 MWPTHz2022-47 pp.23-27 |
| SDM | 2022-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-74 |
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] | SDM2022-74 p.49 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-46 ICD2022-14 |
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] | SDM2022-46 ICD2022-14 pp.54-59 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] | ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 pp.83-86 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 pp.87-90 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] | ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 pp.41-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| MWP | 2020-05-28 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 ○堤 卓也・杉山弘樹・濱田裕史・野坂秀之・松崎英昭（NTT） MWP2020-1 |
あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム（5G）の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展... [more] | MWP2020-1 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大） ED2019-104 MW2019-138 |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] | ED2019-104 MW2019-138 pp.55-58 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 17:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGa... [more] | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 pp.45-50 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| MWP | 2015-05-25 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ受信器の高感度化と帯域幅の測定 ○鈴木左文・忽滑谷拓郎・植田裕吾・大塚友絢・浅田雅洋（東工大） MWP2015-1 |
本研究では、高い電流感度の実現を目指し、平面型のボウタイアンテナに短チャネルのHEMTを集積したテラヘルツ受信器を提案し... [more] | MWP2015-1 pp.1-5 |
| ED | 2014-12-22 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 ○渡邊一世（NICT）・遠藤 聡（NICT/富士通研）・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2014-101 |
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ（HEMT）は，高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく，ミリ波帯... [more] | ED2014-101 pp.15-19 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2014-07-10 16:00 |
長野 | 信州大学繊維学部 | 長鎖アルキルを置換したナフタレンジイミド誘導体蒸着膜のトランジスタ特性 ○岩崎一晃・横田洋一郎（信州大）・小熊尚実・平田直毅（大日精化工業）・市川 結（信州大） OME2014-33 |
媒に可溶な長鎖アルキルを有するナフタレンジイミド誘導体NTCDI-Cnを酸化膜付シリコン基板上に真空蒸着により成膜し、さ... [more] | OME2014-33 pp.31-32 |
| ED | 2013-12-17 14:10 |
宮城 | 東北大通研 | 非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出 ○川崎鉄哉・畠山信也・栗田裕記（東北大）・Guillaume Ducournau（IEMN）・Dominique Coquillat（Univ. Montpellier 2 & CNRS）・小林健悟・佐藤 昭（東北大）・Yahya M. Meziani（Univ. Salamanca）・Vyacheslav. V. Popov（Kotelnikov Inst. Radio Eng. Electron）・Wojciech Knap（Univ. Montpellier 2 & CNRS）・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2013-107 |
我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetr... [more] | ED2013-107 pp.97-100 |
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