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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 11:00 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いた水素分圧評価 ○大塚魁人・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）  CPM2023-100 |
水素は環境にやさしいクリーンなエネルギー源として期待されているが、可燃性及び爆発性があるので水素の漏洩を瞬時に検知可能な... [more] | CPM2023-100 pp.15-18 |
| CPM | 2024-02-29 11:15 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いたアルコール分子の検出 ○野口竜之介・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大） CPM2023-101 |
近年、室温動作で低コスト、高感度で選択性のあるVOCを検出するためのガスセンサーの開発に焦点を当てた研究が盛んに行われて... [more] | CPM2023-101 pp.19-22 |
| VLD, HWS, ICD (共催) |
2024-02-29 15:30 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター【てぃるる】会議室１・２・３ （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［記念講演］絶縁膜ReRAMを用いる高信頼かつ製造時複製可能な有機薄膜トランジスタPUFの実現 ○大島國弘（京大）・栗原一徳（産総研）・佐藤高史（京大） VLD2023-116 HWS2023-76 ICD2023-105 |
有機薄膜トランジスタ（ OTFT ）はセンサ回路等における応用が期待されているが，こうしたシステムではセキュリティが重要... [more] | VLD2023-116 HWS2023-76 ICD2023-105 p.98 |
| SDM | 2023-10-13 16:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性 ○西田 脩・片山慶太・中村大輔（九大）・後藤哲也（東北大）・池上 浩（高知工科大） SDM2023-58 |
エキシマレーザーアニール（ELA）法で結晶化した低温ポリシリコン（LTPS）薄膜トランジスタ（TFT）は、アモルファスシ... [more] | SDM2023-58 pp.27-33 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 09:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀泰志郎・永野貴弥・茂藤健太・山本圭介・○佐道泰造（九大） SDM2023-7 OME2023-7 |
高性能システムインディスプレイの実現には，高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である．このためSiより高いキャリア... [more] | SDM2023-7 OME2023-7 pp.27-29 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-22 13:10 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ExTDRによる有機薄膜デバイス動作のナノ秒時間分解観測 ○酒井正俊・廖 維淞・武笠亮太・戒能 智・益子朋晃・小林知広・工藤一浩（千葉大） SDM2022-2 OME2022-2 |
薄膜デバイスのデバイス動作を時間分解解析する方法は多種多様な手法が提案されている。我々は電気的な手法のひとつとして、拡張... [more] | SDM2022-2 OME2022-2 pp.7-10 |
| SDM | 2022-02-04 10:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低温焼結塗布型シリカを用いた印刷エレクトロニクス ○三成剛生（物質・材料研究機構）・孫 晴晴（鄭州大）・李 玲穎（物質・材料研究機構）・李 万里（江南大）・劉 旭影（鄭州大） SDM2021-76 |
金属インクを塗布・印刷することで配線や電子素子を形成するプリンテッドエレクトロニクスは，フレキシブル基板上に低温・低コス... [more] | SDM2021-76 pp.9-12 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） SDM2021-4 OME2021-4 |
[more] | SDM2021-4 OME2021-4 pp.15-18 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 ○市川和典（松江高専） SDM2021-7 OME2021-7 |
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more] | SDM2021-7 OME2021-7 pp.26-29 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 16:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 ○市川和典（松江高専） |
我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得るため, 欠陥の少ない... [more] | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-14 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発 ○辻 博史・中田 充・武井達哉・宮川幹司・中嶋宜樹・清水貴央（NHK） |
薄くて軽く，柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして，プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more] | |
| SDM | 2020-02-07 14:20 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術 ○三成剛生・李 万里・孫 晴晴・李 玲頴（物質・材料研究機構）・リュウ シューイン（鄭州大）・金原正幸（C-INK） SDM2019-94 |
高精細なプリンテッドエレクトロニクス技術と、選択的無電解めっき技術を紹介します。 [more] | SDM2019-94 pp.27-30 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 15:15 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［依頼講演］原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用 ○部家 彰（兵庫県立大） |
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術（原子状水素アニール（AHA））の半導体分野への応用に... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大） EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 11:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ ○内海大樹（東北学院大）・北原邦紀・塚田真也（島根大）・鈴木仁志・原 明人（東北学院大） EID2018-4 SDM2018-77 |
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] | EID2018-4 SDM2018-77 pp.1-4 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:35 |
宮城 | 東北大・通研 | 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 ○伊藤孝郁・田邊匡生・小山 裕（東北大） ED2018-67 |
半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する... [more] | ED2018-67 pp.53-56 |
| SDM | 2018-10-17 15:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating ○Kaname Imokawa（Kyushu Univ）・Nozomu Tanaka（Kyushu Univ.）・Akira Suwa（Kyushu Univ）・Daisuke Nakamura・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）・Tetsuya Goto（New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.）・Hiroshi Ikenoue（Kyushu Univ） SDM2018-54 |
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温（～500度）のプロセスが必要とされ，プリンタブ... [more] | SDM2018-54 pp.11-14 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 10:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性 ○浅井佑基・本庄周作・瘧師貴幸・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2017-104 SDM2017-104 |
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は，低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] | ED2017-104 SDM2017-104 pp.1-6 |
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