研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-02 13:15 |
北海道 |
北海道大学 情報教育館 3F (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治(奈良先端大) SDM2023-45 ICD2023-24 |
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] |
SDM2023-45 ICD2023-24 pp.45-49 |
SDM |
2023-06-26 13:30 |
広島 |
広島大学 ナノデバイス研究所 |
[依頼講演]オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之(東大) SDM2023-32 |
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] |
SDM2023-32 pp.19-22 |
ICD |
2023-04-10 09:30 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM ○遠藤正己・沼田至優・大嶋和晃・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司(半導体エネルギー研)・小林正治(東大)・山崎舜平(半導体エネルギー研) |
[more] |
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SDM |
2023-01-30 13:40 |
東京 |
機械振興会館(B3-1) |
[招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM ○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司(半導体エネルギー研)・小林正治(東大)・山﨑舜平(半導体エネルギー研) SDM2022-80 |
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more] |
SDM2022-80 pp.5-8 |
SDM |
2022-01-31 15:30 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング ○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努(半導体エネルギー研)・名倉 徹(福岡大)・小林正治(東大)・吉田 宏・Min-Cheng Chen(PSMC)・Ming-Han Liao(National Taiwan Univ.)・Shou-Zen Chang(PSMC)・山﨑舜平(半導体エネルギー研) SDM2021-72 |
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] |
SDM2021-72 pp.16-19 |
SDM |
2021-11-11 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 ○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・Su, Chun-Jung(TSRI)・Hu, Vita Pi-Ho(NTU) SDM2021-56 |
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] |
SDM2021-56 pp.19-22 |
SDM |
2021-11-11 16:15 |
ONLINE |
オンライン開催 |
標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 ○竹内 潔・水谷朋子・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2021-58 |
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] |
SDM2021-58 pp.29-32 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 14:15 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 ○後藤正英(NHK)・本田悠葵(NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治(東大)・日暮栄治(産総研)・年吉 洋・平本俊郎(東大) ICD2019-38 IE2019-44 |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] |
ICD2019-38 IE2019-44 pp.45-49 |
SDM |
2019-11-07 11:00 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2019-69 |
[more] |
SDM2019-69 pp.5-8 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:00 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2019-41 ICD2019-6 |
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] |
SDM2019-41 ICD2019-6 pp.27-30 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 09:30 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
[招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2019-45 ICD2019-10 |
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] |
SDM2019-45 ICD2019-10 pp.59-62 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 15:15 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎(東大) CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76 |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] |
CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76 pp.43-48 |
QIT (第二種研究会) |
2018-11-26 13:30 |
東京 |
東京大学 |
[ポスター講演]多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案 ○伊藤優希・小林正治・平本俊郎(東大) |
シリコン量子ビットの多量子ビット化に向けて積層構造型シリコン量子ビットを提案する。提案するシリコン量子ビットは量子ビット... [more] |
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SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:45 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2018-49 ICD2018-36 |
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] |
SDM2018-49 ICD2018-36 pp.121-126 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 14:10 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 ○小林正治・多川友作・バク ヒ・平本俊郎(東大) SDM2018-50 ICD2018-37 |
[more] |
SDM2018-50 ICD2018-37 pp.127-130 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:00 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
[招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM ○小林正治・上山 望・平本俊郎(東大) SDM2017-37 ICD2017-25 |
[more] |
SDM2017-37 ICD2017-25 pp.45-48 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:45 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉(東大)・篠原尋史(早大)・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2017-38 ICD2017-26 |
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] |
SDM2017-38 ICD2017-26 pp.49-54 |
SDM |
2017-01-30 11:00 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 ○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎(東大) SDM2016-132 |
[more] |
SDM2016-132 pp.9-12 |
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 10:55 |
広島 |
みやじま杜の宿(広島) |
[招待講演]強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討 ○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎(東大) EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 |
[more] |
EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 pp.51-54 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 10:30 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
[招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発 ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎(東大) CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 |
[more] |
CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 pp.17-21 |