| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2012-89 |
[more] | SDM2012-89 pp.1-4 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| SDM | 2011-10-21 10:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2011-105 |
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] | SDM2011-105 pp.49-52 |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| SDM | 2011-07-04 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-53 |
[more] | SDM2011-53 pp.17-22 |
| SDM, ED (共催) (第二種研究会) |
2011-06-29 - 2011-07-01 |
海外 | Legend Hotel | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules ○Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2010-10-22 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-167 |
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] | SDM2010-167 pp.61-65 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| SDM | 2010-06-22 10:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 ○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-36 |
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] | SDM2010-36 pp.17-22 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| SDM | 2009-10-30 15:45 |
宮城 | 東北大学 | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） SDM2009-134 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を... [more] | SDM2009-134 pp.77-80 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2007-06-08 09:00 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2007-39 |
マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に... [more] | SDM2007-39 pp.43-48 |
| SDM | 2007-06-08 11:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2007-44 |
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] | SDM2007-44 pp.71-74 |
| SDM | 2006-06-22 09:50 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 ○樋口正顕（東北大）・品川誠治（武蔵工大）・寺本章伸（東北大）・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（東北大/武蔵工大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・須川成利・大見忠弘（東北大） |
[more] | SDM2006-54 pp.71-76 |
| SDM | 2006-06-22 15:05 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 ○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2... [more] | SDM2006-63 pp.119-124 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]