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人工知能と知識処理研究会 (AI)
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コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
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情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
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ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
2023-10-13
16:20
宮城
東北大学未来情報産業研究館5F
サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価
○
今泉文伸
・
森田拓海
(
小山高専
)
SDM2023-59
近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が...
[more]
SDM2023-59
pp.34-39
MW
,
ED
(共催)
2021-01-29
13:50
ONLINE
オンライン開催
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析
○
上村崇史
・
中田義昭
・
東脇正高
(
NICT
)
ED2020-33 MW2020-86
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において,電流利得遮断周...
[more]
ED2020-33
MW2020-86
pp.30-33
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2016-12-13
13:00
京都
京大桂キャンパス
コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用
○
金子健太郎
(
京大
)・
人羅俊実
(
FLOSFIA
)・
藤田静雄
(
京大
)
ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電...
[more]
ED2016-74
CPM2016-107
LQE2016-90
pp.85-88
ED
2016-07-23
15:05
東京
首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室
Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響
○
小西敬太
・
上村崇史
・
ワン マンホイ
(
NICT
)・
佐々木公平
・
倉又朗人
・
山腰茂伸
(
タムラ製作所
)・
東脇正高
(
NICT
)
ED2016-29
現在,酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために,高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ...
[more]
ED2016-29
pp.11-15
ED
2016-01-20
11:20
東京
機械振興会館
[依頼講演]酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術
○
東脇正高
・
ワン マンホイ
・
小西敬太
(
NICT
)・
佐々木公平
(
タムラ/NICT
)・
後藤 健
(
タムラ/東京農工大
)・
野村一城
・
ティユ クァン トゥ
・
富樫理恵
・
村上 尚
・
熊谷義直
・
Bo Monemar
・
纐纈明伯
(
東京農工大
)・
倉又朗人
・
増井建和
・
山腰茂伸
(
タムラ
)
ED2015-114
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は,パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で...
[more]
ED2015-114
pp.13-18
SDM
2015-06-19
10:10
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
[依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
○
上村崇史
・
ダイワシガマニ キルシナムルティ
(
NICT
)・
倉又朗人
・
山腰茂伸
(
タムラ製作所
)・
東脇正高
(
NICT
)
SDM2015-40
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度...
[more]
SDM2015-40
pp.11-16
EMD
,
CPM
,
OME
(共催)
2015-06-19
14:30
東京
機械振興会館
大気圧CVD法による酸化スズ及び酸化ガリウムナノワイヤーの成長
○
寺迫智昭
・
倉重利規
(
愛媛大
)・
矢木正和
(
香川高専
)
EMD2015-14 CPM2015-24 OME2015-27
金属(スズもしくはガリウム)と水を原料,金(Au)を触媒に用いた大気圧化学気相堆積(CVD)法で成長温度,原料供給比及び...
[more]
EMD2015-14
CPM2015-24
OME2015-27
pp.17-22
ED
,
CPM
,
SDM
(共催)
2015-05-28
15:40
愛知
豊橋技科大VBL棟
コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
伊藤義人
・
金子健太郎
・○
藤田静雄
(
京大
)
ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか...
[more]
ED2015-21
CPM2015-6
SDM2015-23
pp.27-30
ED
,
CPM
,
SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知
豊橋技科大VBL棟
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
○
古賀優太
・
原田和也
・
花田賢志
・
大石敏之
・
嘉数 誠
(
佐賀大
)
ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ...
[more]
ED2015-22
CPM2015-7
SDM2015-24
pp.31-34
LQE
,
LSJ
(共催)
2015-05-22
11:25
石川
金沢能楽美術館
結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ
○
為村成亨
・
菊地健司
・
宮川和典
・
大竹 浩
・
久保田 節
(
NHK
)・
中田時夫
(
東京理科大
)・
沖野 徹
・
廣瀬 裕
・
加藤剛久
(
パナソニック
)・
寺西信一
(
兵庫県立大
)
LQE2015-13
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ...
[more]
LQE2015-13
pp.63-67
ED
2014-08-01
15:50
東京
機械振興会館B3-1室
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
○
上村崇史
(
NICT
)・
佐々木公平
(
タムラ
)・
黄 文海
・
ダイワシガマニ キルシナムルティ
(
NICT
)・
倉又朗人
(
タムラ
)・
増井建和
(
光波
)・
山越茂伸
(
タムラ
)・
東脇正高
(
NICT
)
ED2014-60
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A...
[more]
ED2014-60
pp.41-46
ED
,
MW
(共催)
2014-01-16
11:45
東京
機械振興会館
Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET
○
東脇正高
(
NICT
)・
佐々木公平
(
タムラ製作所/NICT
)・
ワン マンホイ
・
上村崇史
・
ダイワシガマニ キルシナムルティ
(
NICT
)・
倉又朗人
(
タムラ製作所
)・
増井建和
(
光波
)・
山腰茂伸
(
タムラ
)
ED2013-116 MW2013-181
我々は,新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した.今回作製したデバイ...
[more]
ED2013-116
MW2013-181
pp.35-39
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2012-11-29
13:55
大阪
大阪市立大学
単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード
○
佐々木公平
(
タムラ製作所/NICT
)・
東脇正高
(
NICT/JST
)・
倉又朗人
(
タムラ製作所
)・
増井建和
(
光波
)・
山腰茂伸
(
タムラ製作所
)
ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した.フローティングゾーンで作製した単結...
[more]
ED2012-71
CPM2012-128
LQE2012-99
pp.25-28
ED
,
SDM
,
CPM
(共催)
2012-05-17
16:45
愛知
豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Ga2O3酸素センサの作製と評価
○
以西雅章
・
山本貴弘
・
鳥井琢磨
(
静岡大
)
ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900...
[more]
ED2012-25
CPM2012-9
SDM2012-27
pp.39-42
CPM
,
SDM
,
ED
(共催)
2011-05-20
13:25
愛知
名古屋大学 VBL
Ga2O3酸素センサの作製と評価
○
山本貴弘
・
茅野真也
・
池田紘基
・
鈴木嘉文
・
以西雅章
(
静岡大
)
ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素...
[more]
ED2011-27
CPM2011-34
SDM2011-40
pp.135-138
SDM
,
CPM
,
ED
(共催)
2010-05-14
10:50
静岡
静岡大学(浜松キャンパス)
Ga2O3酸素センサの作製と評価
○
茅野真也
・
山口直哉
・
以西雅章
(
静岡大
)
ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素...
[more]
ED2010-27
CPM2010-17
SDM2010-27
pp.57-60
ED
,
CPM
,
SDM
(共催)
2009-05-14
14:45
愛知
豊橋技科大サテライトオフィス
Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価
○
茅野真也
・
堀内郁志
・
以西雅章
(
静岡大
)
ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素...
[more]
ED2009-21
CPM2009-11
SDM2009-11
pp.17-20
CPM
,
ED
,
SDM
(共催)
2008-05-15
14:50
愛知
名古屋工業大学
RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成
○
堀内郁志
・
以西雅章
(
静岡大
)
ED2008-5 CPM2008-13 SDM2008-25
近年環境問題に対する関心は年々高まってきている。そのため排気ガスの制御に利用される高温用酸素ガスセンサとして酸化ガリウム...
[more]
ED2008-5
CPM2008-13
SDM2008-25
pp.19-22
ED
2007-06-16
10:10
富山
富山大学
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化
○
塩崎奈々子
・
橋詰 保
(
北大
)
ED2007-42
光電気化学を用いたGaN表面の酸化プロセスについて検討した。グリコールを用いた中性溶液に浸したGaN表面にUV光を照射し...
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ED2007-42
pp.61-65
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