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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研）  ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 10:55 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化 ○川瀬大樹・奥原 颯・天野英晴（慶大） VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 |
極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxid... [more] | VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 pp.191-196 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| WPT | 2014-06-06 16:45 |
東京 | 東京大学 | 磁界共振結合を用いた多相ワイヤレス電力伝送における漏洩電磁波抑制 ○成田大輝・居村岳広・藤本博志・堀 洋一（東大） WPT2014-31 |
ワイヤレス電力伝送(WPT)は，配線が困難であった場面での給電手法として期待されている． 磁界共振結合方式においては，... [more] |
WPT2014-31 pp.39-44 |
| RECONF | 2013-09-19 09:00 |
石川 | 北陸先端科学技術大学院大学 | バックゲートバイアス制御技術を用いた低電力リコンフィギャラブルアクセラレータの設計 ○蘇 洪亮・王 蔚涵・天野英晴（慶大） RECONF2013-26 |
近年、大きな Processing Element(PE) array を持っているアクセラレータのリーク電流は深刻な問... [more] | RECONF2013-26 pp.37-42 |
| ICD | 2013-04-12 15:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 ○前田徳章・小松成亘・森本薫夫・田中浩二・塚本康正・新居浩二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） ICD2013-21 |
モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタン... [more] | ICD2013-21 pp.109-114 |
| CPSY, VLD, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2013-01-16 16:00 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | オンチップ・リークモニタによるランタイム・パワーゲーティングの制御にむけた損益分岐点の評価 ○松永健作・工藤 優（芝浦工大）・太田雄也，小西奈緒（芝浦工大）・天野英晴（慶大）・坂本龍一・並木美太郎（東京農工大）・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2012-118 CPSY2012-67 RECONF2012-72 |
消費電力の削減技術のひとつであるランタイム・パワーゲーティングはリーク電力を低減させることができるが、スリープさせたとき... [more] | VLD2012-118 CPSY2012-67 RECONF2012-72 pp.63-68 |
| EMCJ, ITE-BCT (共催) |
2010-03-12 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | フェライトコアとバランの併用による広帯域アンテナの測定精度の改善と実験的検討 ○森本康夫・前田忠彦（立命館大） EMCJ2009-131 |
広帯域アンテナの測定を行う際，しばしばケーブル外導体表面に漏洩する電流が測定結果に影響を及ぼす事が報告されており，漏洩電... [more] | EMCJ2009-131 pp.31-36 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| PN, OPE, EMT, LQE (共催) |
2009-01-29 09:20 |
京都 | 京都工芸繊維大学（松ヶ崎キャンパス） | Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing ○Sungbong Park・Shinya Takita・Yasuhiko Ishikawa・Jiro Osaka・Kazumi Wada（Univ. of Tokyo） PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144 |
[more] | PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144 pp.11-15 |
| ICD | 2008-12-12 16:35 |
東京 | 東工大（大岡山）国際交流会館 | [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案 ○鹿嶋一生・鈴木弘明・栗本昌憲（ルネサステクノロジ）・山中唯生（ルネサスデザイン）・高田英裕（ルネサステクノロジ）・牧野博之（阪工大）・篠原尋史（ルネサステクノロジ） ICD2008-128 |
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] | ICD2008-128 pp.137-142 |
| VLD, ICD (共催) |
2008-03-06 16:35 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | システムLSIにおける多電源、ダイナミック電源方式での消費電力の比較検討 ○花見 智・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2007-155 ICD2007-178 |
低消費電力化の代表的方法である多電源方式とダイナミック電源方式を適用した場合の消費エネルギーを積和演算をモチーフとして比... [more] | VLD2007-155 ICD2007-178 pp.67-72 |
| RECONF, CPSY, VLD, IPSJ-SLDM (共催) |
2008-01-16 10:15 |
神奈川 | 慶應義塾大学日吉キャンパス | ［招待講演］Flex Power FPGA:デバイス、回路、アーキテクチャ、ソフトウェアにまたがる垂直統合型研究のささやかな試み ○小池汎平（産総研） |
我々は、しきい値電圧を細粒度で再構成可能とすることによりFPGAの静的消費電力の大幅な削減を目指したFlex Power... [more] | VLD2007-105 CPSY2007-48 RECONF2007-51 pp.1-6 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:50 |
福井 | 福井大学 | ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 ○松田慶太・川崎 健・中田 健・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 |
AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐... [more] | ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 pp.57-61 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-23 12:50 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］DVS/DVFS技術による低電力化の今後 ○水野弘之（日立） SDM2007-148 ICD2007-76 |
LSIの低電力化手法であるDVS/DVFS技術について、その有効性と課題の両面で考察を行った。有効性については、充放電電... [more] | SDM2007-148 ICD2007-76 pp.41-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-23 15:25 |
北海道 | 北見工業大学 | 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化 ○福岡一樹・小澤 治・森 涼・五十嵐康人・佐々木敏夫・倉石 孝・安 義彦・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ） SDM2007-153 ICD2007-81 |
厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する．本手法はPVT変動による突入電流，復帰時間のばらつ... [more] | SDM2007-153 ICD2007-81 pp.69-73 |
| ICD, SIP, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2006-10-27 10:50 |
宮城 | 宮城県・作並温泉・一の坊 | 微細MOSFETのリーク電流を考慮した２電源型システムLSIの低消費電力設計法 ○渡辺重佳・金井雅樹・永澤 晃・花見 智・小林 学・高畠俊徳（湘南工科大） |
充放電電流だけでなく微細MOSFETのサブスレッショルドリーク電流とゲートリーク電流を考慮した２電源（ＶＨ,ＶＬ）システ... [more] | SIP2006-106 ICD2006-132 IE2006-84 pp.31-36 |
| ICD | 2006-04-13 10:45 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術 ○河原尊之（日立） |
ＤＲＡＭのサブ１Ｖ動作を実現するための課題といくつかの解決案について述べる。DRAMの低電圧化は困難であり、消費電力、信... [more] | ICD2006-4 pp.19-24 |
| ICD | 2006-04-14 13:00 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術 ○山岡雅直（日立） |
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が... [more] | ICD2006-17 pp.91-96 |
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