Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2007-170
プラズマディスプレイ用MgO保護膜の構造破壊ダイナミクスと理論設計
○久保百司・芹澤和実・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大）
pp. 1 - 2
SDM2007-171
分子動力学法によるMgOの力学的特性の予測
○大沼宏彰・芹澤和実・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大）
pp. 3 - 4
SDM2007-172
計算化学によるプラズマディスプレイ用MgO保護膜の電子放出特性の評価
○芹澤和実・大沼宏彰・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大）
pp. 5 - 6
SDM2007-173
新規計算化学手法を用いたDLCの摩擦特性解析
○森田祐輔・敖敦其木格・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大）
pp. 7 - 8
SDM2007-174
Influence of Chemical Topology on the Electrical Properties of Carbon Black – A Theoretical Study
○Arunabhiram Chutia・Zhigang Zhu・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.）
pp. 9 - 10
SDM2007-175
Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM
○Shigemi Murakawa（Tokyo Electron/Tohoku Univ.）・Masashi Takeuchi・Minoru Honda・Shu-ichi Ishizuka・Toshio Nakanishi・Yoshihiro Hirota・Takuya Sugawara・Yoshitsugu Tanaka・Yasushi Akasaka（Tokyo Electron AT）・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
pp. 11 - 14
SDM2007-176
マルチスケールトンネル電流シミュレータの開発
○坪井秀行・芹澤和実・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・デルカルピオ カルロス（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大）
pp. 15 - 16
SDM2007-177
Development of Multi-Scale Electrical Conductivity Simulator with the Joule Heating Module and its Application to Polycrystalline SiO2
○John Paul Yacapin・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.）
pp. 17 - 18
SDM2007-178
ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討
○仲野雄介・佐藤雅樹・大見俊一郎（東工大）
pp. 19 - 22
SDM2007-179
機械的歪み印加によるSrTiO3MIMキャパシタ誘電率変調
○黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大）
pp. 23 - 24
SDM2007-180
Theoretic Study of Electronic and Electrical Properties for Nano-Structural ZnO
○Zhigang Zhu・Arunabhiram Chutia・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Carlos A. Del Carpio・Momoji Kubo・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.）
pp. 25 - 26
SDM2007-181
Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Study on Interfacial Electron Transfer in Dye-Sensitized Anatase (001) Surface
○Chen Lv・Agalya Govindasamy・Kei Ogiya・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.）
pp. 27 - 28
SDM2007-182
量子分子動力学法によるダイヤモンドライクカーボン膜生成過程の検討
○敖敦其木格・森田祐輔・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大）
pp. 29 - 30
SDM2007-183
低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討
○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大）
pp. 31 - 34
SDM2007-184
減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発
○鈴木克昌・石原良夫・迫田 薫（大陽日酸）・白井泰雪・平山昌樹・寺本章伸・大見忠弘（東北大）・渡辺高行（宇部マテリアルズ）
pp. 35 - 38
SDM2007-185
色素増感型太陽電池のためのマルチスケールシミュレータの開発
○扇谷 恵・呂 晨・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大）
pp. 39 - 40
SDM2007-186
マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作
○廣江昭彦・寺本章伸・大見忠弘（東北大）
pp. 41 - 44
SDM2007-187
High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces
○Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Rihito Kuroda・Chingfoa Tye・Syunichi Watabe・Tomoyuki Suwa・Tetsuya Goto・Fuminobu Imaizumi・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
pp. 45 - 48
SDM2007-188
SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討
○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大）
pp. 49 - 52
SDM2007-189
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御
○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大）
pp. 53 - 56
SDM2007-190
シリコン表面の原子オーダー平坦化技術
○諏訪智之・黒田理人・寺本章伸・大見忠弘（東北大）
pp. 57 - 59
SDM2007-191
LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術
○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）
pp. 61 - 64
SDM2007-192
大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価
○阿部健一・須川成利・黒田理人・渡部俊一・寺本章伸・大見忠弘（東北大）
pp. 65 - 68
SDM2007-193
プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価
○渡部俊一・須川成利・阿部健一・藤澤孝文・宮本直人・寺本章伸・大見忠弘（東北大）
pp. 69 - 72
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．