Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2013-64
InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開
○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック）
pp. 1 - 4
ED2013-65
m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上
○藤田稔之・山田篤志・井上 彰・加藤 亮・横川俊哉（パナソニック）
pp. 5 - 9
ED2013-66
350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究
○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大）
pp. 11 - 16
ED2013-67
内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～
○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石）
pp. 17 - 20
ED2013-68
表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線）
pp. 21 - 25
ED2013-69
表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成
○梁 剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝（阪市大）
pp. 27 - 30
ED2013-70
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大）
pp. 31 - 34
ED2013-71
GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）
pp. 35 - 38
ED2013-72
低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）
pp. 39 - 42
ED2013-73
高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率
○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大）
pp. 43 - 46
ED2013-74
MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究
○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大）
pp. 47 - 50
ED2013-75
A novel method for crystallizations of aluminum nitride
○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）
pp. 51 - 55
ED2013-76
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討
○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 57 - 61
ED2013-77
赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性
○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文（阪大）
pp. 63 - 66
ED2013-78
有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定
○桒田宗一郎・小泉 淳・藤原康文（阪大）
pp. 67 - 70
ED2013-79
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長
○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D）
pp. 71 - 74
ED2013-80
サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長
○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）
pp. 75 - 78
ED2013-81
減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御
○北川 慎・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 79 - 82
ED2013-82
270nm帯深紫外LEDの大面積形成
○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック）
pp. 83 - 86
ED2013-83
透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現
○前田哲利・平山秀樹（理研）
pp. 87 - 90
ED2013-84
AlGaN系深紫外LEDの開発
○一本松正道・平野 光（創光科学）・天野 浩（名大）・赤崎 勇（名城大）
pp. 91 - 94
ED2013-85
高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発
○豊田史朗（埼玉大/理研）・平山秀樹（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）
pp. 95 - 100
ED2013-86
ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響
○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大）
pp. 101 - 105
ED2013-87
ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性
○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大）
pp. 107 - 112
ED2013-88
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大）
pp. 113 - 116
ED2013-89
GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価
○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック）
pp. 117 - 120
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．