12月12日(月) 午後  電子デバイス研究会（ED) 13:00 - 17:25
(1)	13:00-13:25	GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73	○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研）
(2)	13:25-13:50	界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74	○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大）
(3)	13:50-14:15	ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75	○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田　淳（京大）
(4)	14:15-14:40	Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76	○Kenji Shiojima・Moe Naganawa（Univ. of Fukui）・Tomoyoshi Mishima（Hosei Univ.）
(5)	14:40-15:05	ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77	○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田　淳（京大）
	15:05-15:20	休憩　（ 15分 ）
(6)	15:20-15:45	キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78	○大麻浩平・吉岡　啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山　亨（東芝）
(7)	15:45-16:10	プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79	○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機）
(8)	16:10-16:35	AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80	○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大）
(9)	16:35-17:00	三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81	○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大）
(10)	17:00-17:25	電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82	○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大）
12月13日(火) 午前  レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) 座長: 川口真生（パナソニック） 08:40 - 09:55
(11)	08:40-09:05	半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83	○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）
(12)	09:05-09:30	MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84	○森　拓磨・三好実人・江川孝志（名工大）
(13)	09:30-09:55	m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性 ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85	○大島一晟（理研/埼玉大）・定　昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研）
	09:55-10:05	休憩　（ 10分 ）
12月13日(火) 午前  レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) 座長: 藤原直樹（NTT） 10:05 - 11:45
(14)	10:05-10:30	極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86	○松田祥伸・船戸　充・川上養一（京大）
(15)	10:30-10:55	クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87	○岸元克浩・呉　珮岑・船戸　充・川上養一（京大）
(16)	10:55-11:20	紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 ED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88	○美濃卓哉（パナソニック）・平山秀樹（理研）・高野隆好・後藤浩嗣・植田充彦・椿　健治（パナソニック）
(17)	11:20-11:45	超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89	○土山和晃・宇都宮　脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田　浩・若原昭浩（豊橋技科大）
12月13日(火) 午後  電子部品材料研究会（CPM) 13:00 - 15:30
(18)	13:00-13:25	コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90	○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大）
(19)	13:25-13:50	室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用 ED2016-75 CPM2016-108 LQE2016-91	○菊地　航・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシル アハンマド・久保田　繁・廣瀬文彦（山形大）
(20)	13:50-14:15	ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究 ED2016-76 CPM2016-109 LQE2016-92	○久保田　繁・原田佳宜（山形大）・須藤健成（早大）・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野　潤（早大）・廣瀬文彦（山形大）
(21)	14:15-14:40	室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93	○今井貴大・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田　繁・廣瀬文彦（山形大）
(22)	14:40-15:05	テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94	○藤井高志（立命館大/PNP）・達　紘平・荒木　努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島　健（摂南大）
(23)	15:05-15:30	sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95	○赤岩和明・市野邦男（鳥取大）・金子健太郎・藤田静雄（京大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-： k-fpc 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E- : sijaist
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	藤原 直樹（日本電信電話株式会社） TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345 E-: o 片桐 崇史（東北大学大学院） TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106 E-:giecei
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2016-11-24 11:41:06