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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2023-01-18 13:40 |
愛知 | 愛知・日間賀島 ホテル浦島 | ［依頼講演］レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 ○高田徳幸（産総研）  OME2022-63 |
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来し... [more] | OME2022-63 pp.1-3 |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Field-Plate Length Dependence of 2.4-GHz Rectification Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT Based Diode ○Gen Taguchi・Naoya Kishimoto・Youichi Tsuchiya・Debaleen Biswasa・Ma Qiang（Nagoya Inst. of Tech.）・Yuji Ando・Hidemasa Takahashi（Nagoya Univ）・Kenji Itoh・Naoki Sakai（Kanazawa Inst. of Tech）・Akio Wakejima（Nagoya Inst. of Tech.） |
We demonstrate field-plate (FP) length dependence of 2.4-GHz... [more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ○西田大生・大石敏之（佐賀大）・大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 |
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある．今回，回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] | ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 pp.49-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| MW | 2022-11-15 11:15 |
長崎 | 福江文化会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1ポートCRLH線路の分散制御による高効率電力増幅器の帯域改善 ○最上椋太・辻 恵梨・田中愼一（芝浦工大） MW2022-110 |
我々はこれまで，高調波処理回路として1ポート構成の右手／左手系複合（CRLH）線路を用いる電力増幅器を提案してきた．増幅... [more] | MW2022-110 pp.7-12 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳，○原 信二（名大） WPT2022-10 MW2022-10 |
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] | WPT2022-10 MW2022-10 pp.35-39 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0 GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器 ○小松崎優治（三菱電機）・サンドロ ランフランコ・タピオ コルモネン・オリ ピイライネン・ジャルノ タンスカネン（ノキアベル研）・坂田修一（三菱電機）・馬 瑞（三菱電機リサーチラボラトリ）・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・ピーター アズベック（カリフォルニア大サンディエゴ校） WPT2022-11 MW2022-11 |
通信量の劇的な増大を受け，移動通信基地局用増幅器にはピーク対平均電力比(PAPR)の大きい信号を高効率に増幅できること，... [more] | WPT2022-11 MW2022-11 pp.40-45 |
| ED, MW (共催) |
2022-01-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響 ○桑田英悟・山口裕太郎・津留正臣（三菱電機）・Johannes Benedikt（カーディフ大） ED2021-63 MW2021-105 |
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] | ED2021-63 MW2021-105 pp.7-11 |
| ED, MW (共催) |
2022-01-27 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC ○石川 亮・瀬下拓也・髙山洋一郎・本城和彦（電通大） ED2021-67 MW2021-109 |
５Ｇ無線通信システムでは28 GHz帯などの準ミリ波帯も利用されるが、デジタル変調信号増幅用広ダイナミックレンジ電力増幅... [more] | ED2021-67 MW2021-109 pp.28-31 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-20 17:15 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測 ○吹留博一（東北大） ED2021-58 |
GaN-HEMTの電流コラプス現象の大きな要因である表面電子捕獲は、重要な研究課題である。高い時空間分解能を有する。我々... [more] | ED2021-58 pp.48-52 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] | ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 pp.83-86 |
| SDM | 2021-11-12 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通） SDM2021-62 |
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] | SDM2021-62 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| EE | 2021-01-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 ○新井大輔（名大）・神山祐輔・八木修一・河合弘治・成井啓修（パウデック）・今岡 淳・山本真義（名大） EE2020-32 |
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し，抵抗負荷でスイッ... [more] | EE2020-32 pp.47-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| EMT, MW, OPE, EST, MWP (共催) THz, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2020-07-17 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | OAM通信用ループアンテナを直接平衡励振する直列接続型高調波処理GaN HEMTドハティ増幅器の検討 ○中田将大・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24 |
直列接続型ドハティ増幅器の直列結合に利用するバランを省略し，軌道角運動量（OAM）通信用平衡励振ループアンテナをダイレク... [more] | EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24 pp.101-106 |
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