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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ, MICT (併催) |
2024-03-15 10:55 |
島根 | ろうかん（松江市） | 環境・バイタルセンサデータによりBPSD予測性能向上のためのBPSD発症時期分析 ○新見龍之慎（電通大）・常盤直也（ラクスパートナーズ）・柴田純一・鈴木利一（iD）・柏木岳彦（電通大）・馬上竜也（ラクスパートナーズ）・嘉村魁人・大沼飛宇多・田野俊一・南 泰浩（電通大）  MICT2023-79 |
認知症患者が発症する行動・心理症状（BPSD）は，介護者の大きな負担となるだけでなく，患者本人の生活の質にも影響を与えて... [more] | MICT2023-79 pp.12-16 |
| LOIS | 2023-03-13 12:45 |
沖縄 | 大濱信泉記念館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
環境・バイタルセンサデータによる認知症における行動・心理症状（BPSD）の推定 ○南 泰浩（電通大）・常盤直也（ラクスパートナーズ）・柴田純一・鈴木利一（iD）・柏木岳彦・田野俊一（電通大） LOIS2022-48 |
[more] | LOIS2022-48 pp.23-28 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 16:25 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果 ○デン ユウチェン・穴場 響・松山秀幸・鈴木寿一（北陸先端大） ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72 |
[more] | ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72 pp.69-72 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 17:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 ○瓜生和也（北陸先端大/アドバンテスト研）・木内翔太（北陸先端大）・佐藤 拓（アドバンテスト研）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 |
一般に, オーミック金属下半導体の電気的特性は, オーミックコンタクト形成前から変化している. これまでに, オーミック... [more] | ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 pp.35-38 |
| ED | 2013-08-08 15:30 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | ［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析 ○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大） ED2013-40 |
[more] | ED2013-40 pp.15-18 |
| ED | 2013-08-08 16:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 ○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大） ED2013-41 |
[more] | ED2013-41 pp.19-23 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大）・鈴木寿一（北陸先端大） OPE2013-10 LQE2013-20 |
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し，波長0.8 $mu$m帯での... [more] | OPE2013-10 LQE2013-20 pp.19-22 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD | 2012-04-24 13:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 ○宮地幸祐（東大）・鈴木利一（パナソニック）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2012-12 |
[more] | ICD2012-12 pp.61-66 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| ED | 2011-07-29 15:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 ○工藤昌宏・Hong-An Shih・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2011-42 |
[more] | ED2011-42 pp.25-30 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ED | 2010-06-17 13:25 |
石川 | 北陸先端大 | フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2010-34 |
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waa... [more] | ED2010-34 pp.5-9 |
| ED | 2010-06-17 14:25 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大） ED2010-36 |
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] | ED2010-36 pp.17-20 |
| ED | 2009-06-12 09:55 |
東京 | 東京工業大学 | InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性 ○赤堀誠志（北陸先端大/ユーリッヒ研）・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏（北陸先端大）・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen（ユーリッヒ研）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2009-45 |
[more] | ED2009-45 pp.47-50 |
| ED | 2008-06-14 10:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-35 |
InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上への... [more] | ED2008-35 pp.73-76 |
| ED | 2007-06-15 14:25 |
富山 | 富山大学 | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-34 |
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] | ED2007-34 pp.17-20 |
| ED | 2007-06-16 10:35 |
富山 | 富山大学 | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-43 |
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] | ED2007-43 pp.67-70 |
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