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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2020-06-18 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | チャネル長変調と基板バイアス制御を用いたレベルシフタレス設計の検討 ○渡辺達也・宇佐美公良（芝浦工大）  CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 |
LSIを低消費電力化する手法の一つにマルチVDD設計がある．この手法では複数の異なる電源電圧を用いることで低消費電力化を... [more] | CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 pp.41-46 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] | VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 13:10 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 ○小暮俊輔・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-47 DC2016-41 |
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] | VLD2016-47 DC2016-41 pp.19-24 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| VLD | 2016-03-01 16:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法 ○鈴木花乃・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-129 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-129 pp.105-110 |
| VLD | 2016-03-01 17:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 ○吉田有佑・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-130 |
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] | VLD2015-130 pp.111-116 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:25 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価 ○井尾翔平・鈴木花乃・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 pp.91-96 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 10:30 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 再構成可能アクセラレータにおける中間粒度ボディバイアス制御を用いた電力最適化 ○松下悠亮・奥原 颯・増山滉一郎・藤田 悠・天野英晴（慶大） VLD2015-101 CPSY2015-133 RECONF2015-83 |
国家プロジェクトLEAP によって低消費電力で高効率な処理を行うデバイス・SOTB(Sillcon-On-ThinBox... [more] | VLD2015-101 CPSY2015-133 RECONF2015-83 pp.185-190 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎（電通大）・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合） CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] | CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] | VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
| VLD | 2014-03-05 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-162 |
薄膜BOX-SOI（Silicon on Thin BOX:SOTB）はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源... [more] | VLD2013-162 pp.153-158 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| CPSY, VLD, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2013-01-16 17:00 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける基板バイアス効果を利用した動的なマルチVth設計の検討 ○網代慎也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)というFD-SOIデバイスは0.4Vという超低電圧... [more] | VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 pp.75-80 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2012-11-26 16:00 |
福岡 | 九州大学百年講堂 | ランダム・テレグラフ・ノイズに起因した組合せ回路遅延ゆらぎに対する基板バイアスの影響 ○松本高士（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） VLD2012-70 DC2012-36 |
近年のLSI素子の微細化により、NBTIおよび、RTNなどのゲート絶縁膜の信頼性が回路の信頼性に与える影響がますます深刻... [more] | VLD2012-70 DC2012-36 pp.63-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2012-68 ICD2012-36 |
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい．消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] | SDM2012-68 ICD2012-36 pp.29-32 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） |
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more] | |
| VLD | 2012-03-07 16:05 |
大分 | ビーコンプラザ | パワースイッチの基板電圧選択制御によるサブスレッショルド回路のリークエネルギー低減化 ○三橋 遼・工藤 優・太田雄也・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2011-144 |
リークエネルギーを低減する技術の一つであるパワーゲーティング(PG)は、挿入するパワースイッチ(PS)の閾値にリークエネ... [more] | VLD2011-144 pp.145-150 |
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