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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-06-07 to:2007-06-07」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2007-06-07 13:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 ○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）  SDM2007-31 |
MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）型不揮発性メモリーの高信頼化を目的に，M... [more] | SDM2007-31 pp.1-6 |
| SDM | 2007-06-07 13:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 ○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立） SDM2007-32 |
MONOS型不揮発性メモリの書換え動作に伴う電荷の局在抑制を目的に，Siを過剰に含むSiリッチ窒化膜(SRN)の電子捕獲... [more] | SDM2007-32 pp.7-11 |
| SDM | 2007-06-07 14:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用 ○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ） SDM2007-33 |
[more] | SDM2007-33 pp.13-16 |
| SDM | 2007-06-07 14:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） SDM2007-34 |
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] | SDM2007-34 pp.17-22 |
| SDM | 2007-06-07 15:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 ○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大） SDM2007-35 |
SiO2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されてい... [more] | SDM2007-35 pp.23-26 |
| SDM | 2007-06-07 15:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価 ○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大） SDM2007-36 |
[more] | SDM2007-36 pp.27-32 |
| SDM | 2007-06-07 16:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 ○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） SDM2007-37 |
[more] | SDM2007-37 pp.33-36 |
| SDM | 2007-06-07 16:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-38 |
パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが，MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題が... [more] | SDM2007-38 pp.37-42 |
| SDM | 2007-06-08 09:00 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2007-39 |
マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に... [more] | SDM2007-39 pp.43-48 |
| SDM | 2007-06-08 09:25 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ○寺井真之・藤枝信次（NEC） SDM2007-40 |
プラズマ酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたp型MOSFETのNBTIに対し、プラズマ窒化及びフッ素導入が及ぼす効果を調べた。... [more] | SDM2007-40 pp.49-54 |
| SDM | 2007-06-08 09:50 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング ○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝） SDM2007-41 |
SiO${}_2$ pMOSFETに対するNBTI劣化のモデルとして，理論的なモデルは反応拡散モデルが，実験的なモデルは... [more] | SDM2007-41 pp.55-58 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
| SDM | 2007-06-08 10:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 ○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝） SDM2007-43 |
high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体... [more] | SDM2007-43 pp.65-70 |
| SDM | 2007-06-08 11:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2007-44 |
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] | SDM2007-44 pp.71-74 |
| SDM | 2007-06-08 12:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 ○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝） SDM2007-45 |
High-kゲート絶縁膜LaAlO3上の様々なメタルの実効仕事関数（Φeff）を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiO... [more] | SDM2007-45 pp.75-80 |
| SDM | 2007-06-08 13:10 |
広島 | 広島大学（学士会館） | スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 ○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック） SDM2007-46 |
High-kゲート絶縁材料としてLaAlO3薄膜がRFマグネトロンスパッタ法によりp型Si(100)基板上に堆積された。... [more] | SDM2007-46 pp.81-83 |
| SDM | 2007-06-08 13:35 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2007-47 |
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている．HfO2/Geは600℃での... [more] | SDM2007-47 pp.85-90 |
| SDM | 2007-06-08 14:15 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2007-48 |
化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)... [more] | SDM2007-48 pp.91-96 |
| SDM | 2007-06-08 14:40 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） SDM2007-49 |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] | SDM2007-49 pp.97-100 |
| SDM | 2007-06-08 15:05 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 ○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） SDM2007-50 |
[more] | SDM2007-50 pp.101-106 |
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