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シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		遠藤哲郎 (東北大)
副委員長		奈良安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事		小野行徳 (NTT)，大西克典 (九工大)
幹事補佐		野村晋太郎 (筑波大)

日時	2010年12月17日(金)　10:00 - 17:45
議題	シリコン関連材料の作製と評価
会場名	京都大学桂キャンパスA1棟地下講義室1
住所	〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1
交通案内	阪急桂駅(西口)からバス15分「京大桂キャンパス前」下車 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人連絡先	京都大学工学研究科木本恒暢 075-383-2300
お知らせ	◎研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月17日(金) 午前 10:00 - 12:20
(1)	10:00-10:20	MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ SDM2010-185	○吉岡裕典・森岡直也・須田　淳・木本恒暢（京大）
(2)	10:20-10:40	X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化～シミュレーションによる評価～ SDM2010-186	○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治（阪電通大）
(3)	10:40-11:00	イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 SDM2010-187	○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）
(4)	11:00-11:20	蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善 SDM2010-188	○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
(5)	11:20-11:40	多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング SDM2010-189	○長谷川光洋・平田憲司・高山　環・舟谷友宏・冬木　隆（奈良先端大）
(6)	11:40-12:00	結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 SDM2010-190	○舟谷友宏・平田憲司・高山　環・長谷川光洋・冬木　隆（奈良先端大）
(7)	12:00-12:20	ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 SDM2010-191	○渡辺晃次・須田健一・仲田英起・本橋光也（東京電機大）
	12:20-13:20	昼食　（ 60分）
12月17日(金) 午後 13:20 - 15:30
(8)	13:20-13:50	［招待講演］ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 SDM2010-192	○木下健太郎・依田貴稔・田中隼人・花田明紘・岸田　悟（鳥取大）
(9)	13:50-14:10	真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 SDM2010-193	○岩田達哉・西　佑介・木本恒暢（京大）
(10)	14:10-14:30	放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 SDM2010-194	○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治（阪電通大）
(11)	14:30-14:50	200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 SDM2010-195	○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田　忍・大島　武（原子力機構）
(12)	14:50-15:10	超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価 SDM2010-196	○佐藤智久（阪大）・二ツ木高志・大江太郎（オルガノ）・小松直佳・木村千春・青木秀充（阪大）
(13)	15:10-15:30	多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 SDM2010-197	○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大）
	15:30-15:45	休憩　（ 15分）
12月17日(金) 午後 15:45 - 17:45
(14)	15:45-16:05	ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 SDM2010-198	○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters）
(15)	16:05-16:25	ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 SDM2010-199	○岡部泰典・近藤健二（東北学院大）・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀（島根大）・原　明人（東北学院大）
(16)	16:25-16:45	裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 SDM2010-200	○松江将博・市川和典・赤松　浩（神戸高専）・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治（奈良先端大）
(17)	16:45-17:05	Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 SDM2010-201	○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家　彰・高田忠雄（兵庫県立大）・坂本憲児・横山　新（広島大）
(18)	17:05-17:25	Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク～複数回の学習とAND・OR・EXORの学習～ SDM2010-202	○宮谷友彰・藤田悠佑（龍谷大）・三島大樹（奈良先端大）・谷口　仁・笠川知洋・木村　睦（龍谷大）
(19)	17:25-17:45	高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 SDM2010-203	○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST）

講演時間
一般講演	発表 15 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 25 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	木本恒暢(京都大学) Tel: 075-383-2300 Fax: 075-383-2303 E-: eek-u