6月19日(金) 午前  09:30 - 17:30
(1)	09:30-09:50	［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 SDM2015-38	○谷田部然治・橋詰　保（北大）
(2)	09:50-10:10	［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 SDM2015-39	○徳田　豊（愛知工大）
(3)	10:10-10:30	［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 SDM2015-40	○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
	10:30-10:50	休憩　（ 20分 ）
(4)	10:50-11:10	［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 SDM2015-41	○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川　聡（三菱電機）
(5)	11:10-11:30	［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 SDM2015-42	○森　大輔・井上　慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機）
(6)	11:30-11:50	［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 SDM2015-43	○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚　理・財満鎭明（名大）
	11:50-12:40	休憩　（ 50分 ）
(7)	12:40-13:00	光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 SDM2015-44	○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(8)	13:00-13:20	シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 SDM2015-45	○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大）
(9)	13:20-13:40	Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 SDM2015-46	○加藤祐介・荒井　崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(10)	13:40-14:00	低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 SDM2015-47	○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王　冬・中島　寛（九大）
	14:00-14:15	休憩　（ 15分 ）
(11)	14:15-14:35	メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 SDM2015-48	○岡　博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）
(12)	14:35-14:55	金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 SDM2015-49	○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大）
(13)	14:55-15:15	Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 SDM2015-50	○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚　理・財満鎭明（名大）
(14)	15:15-15:35	PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 SDM2015-51	○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）
	15:35-15:50	休憩　（ 15分 ）
(15)	15:50-16:10	Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process SDM2015-52	○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST）
(16)	16:10-16:30	極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 SDM2015-53	吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井　朗（阪大）
(17)	16:30-16:50	［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 SDM2015-54	○野内　亮（阪府大）
(18)	16:50-17:10	［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ SDM2015-55	○中払　周（物質・材料研究機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林　賢二郎・近藤大雄・高橋　慎（産総研）・黎　松林・山本真人・林　彦甫（物質・材料研究機構）・上野啓司（埼玉大）・塚越一仁（物質・材料研究機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研）
(19)	17:10-17:30	［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 SDM2015-56	○森　貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤　淳（産総研）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: fffe

Last modified: 2015-04-27 19:54:27