| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-12-17 to:2010-12-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-12-17 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2010-185 |
18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] | SDM2010-185 pp.1-6 |
| SDM | 2010-12-17 10:20 |
京都 | 京都大学(桂) | X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治（阪電通大） SDM2010-186 |
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，可搬できる蛍光X線検出... [more] | SDM2010-186 pp.7-12 |
| SDM | 2010-12-17 10:40 |
京都 | 京都大学(桂) | イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 ○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2010-187 |
イオンチャネリングを用いて，エピタキシャル成長したFe3-xMnxSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した... [more] | SDM2010-187 pp.13-17 |
| SDM | 2010-12-17 11:00 |
京都 | 京都大学(桂) | 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善 ○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2010-188 |
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは，照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている．... [more] | SDM2010-188 pp.19-23 |
| SDM | 2010-12-17 11:20 |
京都 | 京都大学(桂) | 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング ○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-189 |
近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減とい... [more] | SDM2010-189 pp.25-28 |
| SDM | 2010-12-17 11:40 |
京都 | 京都大学(桂) | 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-190 |
近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザード... [more] | SDM2010-190 pp.29-32 |
| SDM | 2010-12-17 12:00 |
京都 | 京都大学(桂) | ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 ○渡辺晃次・須田健一・仲田英起・本橋光也（東京電機大） SDM2010-191 |
本研究では，ナノ構造シリコン(NS)表面へのプラズマ処理がその表面構造に与える影響について検討した．このプラズマ処理は，... [more] | SDM2010-191 pp.33-37 |
| SDM | 2010-12-17 13:20 |
京都 | 京都大学(桂) | ［招待講演］ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 ○木下健太郎・依田貴稔・田中隼人・花田明紘・岸田 悟（鳥取大） SDM2010-192 |
[more] | SDM2010-192 pp.39-44 |
| SDM | 2010-12-17 13:50 |
京都 | 京都大学(桂) | 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2010-193 |
[more] | SDM2010-193 pp.45-49 |
| SDM | 2010-12-17 14:10 |
京都 | 京都大学(桂) | 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 ○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治（阪電通大） SDM2010-194 |
低抵抗率半導体の欠陥評価として過渡容量法が有用であるが，半絶縁性半導体には適用できないため，過渡電流法の1つである放電電... [more] | SDM2010-194 pp.51-56 |
| SDM | 2010-12-17 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2010-195 |
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] | SDM2010-195 pp.57-62 |
| SDM | 2010-12-17 14:50 |
京都 | 京都大学(桂) | 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価 ○佐藤智久（阪大）・二ツ木高志・大江太郎（オルガノ）・小松直佳・木村千春・青木秀充（阪大） SDM2010-196 |
[more] | SDM2010-196 pp.63-67 |
| SDM | 2010-12-17 15:10 |
京都 | 京都大学(桂) | 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 ○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大） SDM2010-197 |
n-オクタンから生成したC$_{3}$H$_{7}^{+}$およびC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 多原子分子イオ... [more] | SDM2010-197 pp.69-72 |
| SDM | 2010-12-17 15:45 |
京都 | 京都大学(桂) | ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 ○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） SDM2010-198 |
ホトルミネセンス(PL)法を活用して，極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た．イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] | SDM2010-198 pp.73-78 |
| SDM | 2010-12-17 16:05 |
京都 | 京都大学(桂) | ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 ○岡部泰典・近藤健二（東北学院大）・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀（島根大）・原 明人（東北学院大） SDM2010-199 |
多結晶半導体からなる薄膜トランジスタ(TFT)の移動度は結晶粒径に依存する。我々は、前駆体として非晶質Si1-xGexを... [more] | SDM2010-199 pp.79-82 |
| SDM | 2010-12-17 16:25 |
京都 | 京都大学(桂) | 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 ○松江将博・市川和典・赤松 浩（神戸高専）・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治（奈良先端大） SDM2010-200 |
これまで、a-Si/SiO2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さ... [more] | SDM2010-200 pp.83-86 |
| SDM | 2010-12-17 16:45 |
京都 | 京都大学(桂) | Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 ○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・坂本憲児・横山 新（広島大） SDM2010-201 |
本研究では，Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し，電極間に固定されたDNAの伝導特性，及び，n-S... [more] | SDM2010-201 pp.87-91 |
| SDM | 2010-12-17 17:05 |
京都 | 京都大学(桂) | Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク ～ 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習 ～ ○宮谷友彰・藤田悠佑（龍谷大）・三島大樹（奈良先端大）・谷口 仁・笠川知洋・木村 睦（龍谷大） SDM2010-202 |
Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワークを開発した。これは、はじめは何ら機能を持っていないが、... [more] | SDM2010-202 pp.93-97 |
| SDM | 2010-12-17 17:25 |
京都 | 京都大学(桂) | 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 ○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2010-203 |
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は，透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で，有用な材料である．a-I... [more] | SDM2010-203 pp.99-102 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]