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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA 2024-05-22
16:50
ONLINE オンライン開催 [招待講演]拡散モデルを用いた生成モデルの基礎と音声強調と分離への応用
シャイブラー ロビンLINEヤフー
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
SDM 2021-02-05
13:45
ONLINE オンライン開催 Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性
山田裕貴矢作政隆小池淳一東北大SDM2020-56
本研究の目的は,Cu配線を圧迫する厚い二重構造のTaライナーとTaNバリアを,熱的に安定なアモルファス構造で,ライナーと... [more] SDM2020-56
pp.7-10
CPM 2020-10-29
14:00
ONLINE オンライン開催 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム
武山真弓北見工大)・安田光伸東レリサーチセンター)・佐藤 勝北見工大CPM2020-14
Si-LSIにおけるCu配線あるいは3次元LSIにおけるTSVなどの配線は、高い信頼性を持つ配線を形成するためにエレクト... [more] CPM2020-14
pp.11-14
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-01
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御
武山真弓佐藤 勝北見工大CPM2018-46
Si-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、T... [more] CPM2018-46
pp.25-28
ED 2017-08-10
09:15
東京 機械振興会館 ATP, ACh、水素イオンが同時に観察できるバイオイメージセンサの開発 ~ 拡散防止膜を用いた選択的検出能力強化 ~
李 宥奈堀尾智子奥村弘一岩田達哉高橋一浩澤田和明豊橋技科大ED2017-33
我々の研究室ではニューロン間の信号伝達メカニズムを理解するため、アデノシン三リン酸(ATP)、アセチルコリン(ACh)、... [more] ED2017-33
pp.33-36
CPM 2015-08-11
09:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
佐藤 勝武山真弓野矢 厚北見工大CPM2015-40
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] CPM2015-40
pp.47-50
SDM 2015-03-02
15:25
東京 機械振興会館 [招待講演]CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価
嶋 紘平東大)・ツ ユアン韓 斌高見澤 悠東北大)・清水秀治東大)・清水康雄東北大)・百瀬 健東大)・井上耕治永井康介東北大)・霜垣幸浩東大SDM2014-169
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] SDM2014-169
pp.39-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
SDM 2013-11-14
13:50
東京 機械振興会館 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝SDM2013-102
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] SDM2013-102
pp.15-20
CPM 2012-10-26
17:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ~ Va遷移金属の拡散挙動 ~
武山真弓野矢 厚北見工大CPM2012-103
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] CPM2012-103
pp.55-60
SDM 2012-03-05
13:30
東京 機械振興会館 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] SDM2011-180
pp.25-29
CQ, CS
(併催)
2011-04-22
14:20
鹿児島 屋久島環境文化村センター GI/GI/1待ち行列システムにおける平均待ち時間最良近似の提案
星 健太郎野中 優高橋敬隆小松尚久早大CQ2011-17
 [more] CQ2011-17
pp.95-98
MVE, IE
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2011-03-07
13:10
長崎 やすらぎ伊王島 A further refinement of the diffusion approximations for GI/G/1 system
Kentaro HoshiYu NonakaYoshitaka TakahashiNaohisa KomatsuWaseda Univ.
 [more]
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
CPM 2010-07-30
09:30
北海道 道の駅しゃり 会議室 ラジカル反応を応用したZrNx膜の低温作製
佐藤 勝武山真弓北見工大)・早坂祐一郎青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2010-36
3次元実装によるSi-ULSI の集積度の向上に必要なSi 貫通ビア配線に適用可能な低温での拡散バリヤの新たな成膜手法と... [more] CPM2010-36
pp.29-34
CPM 2009-08-11
10:50
青森 弘前大学 ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
武山真弓佐藤 勝北見工大)・早坂祐一郎青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2009-43
先に我々は、ZrB2 という新たな材料の基本的な特性を評価したが、その際ZrB2 膜は、下地基板の導電性によって、その抵... [more] CPM2009-43
pp.51-55
CPM 2009-08-11
11:15
青森 弘前大学 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 ~ 低温作製されたZrNx膜の特性評価 ~
佐藤 勝武山真弓北見工大)・早坂祐一郎青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2009-44
Si-ULSI の3 次元Si 貫通ビア配線にとって,最も重要な要件の一つが200℃以下の低温プロセスである.本研究では... [more] CPM2009-44
pp.57-60
IN 2007-12-13
15:25
広島 広島市立大学 タイムアウトを考慮した単一サーバ待ち行列システムの拡散過程近似解析
星 健太郎飯島澄人高橋敬隆小松尚久早大IN2007-103
タイムアウトを考慮した既存トラフィックモデルは主に電話交換網を対象に従来から活発に応用されてきている.しかし,その殆んど... [more] IN2007-103
pp.25-30
CPM 2007-11-16
16:10
新潟 長岡技術科学大学 ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性
武山真弓北見工大)・中台保夫神原正三アルバックマテリアル)・畠中正信アルバック)・野矢 厚北見工大CPM2007-111
Si-ULSI におけるCu 配線の拡散バリヤに、ZrB2 という新たな材料を適用するために、プロセスに適用可能な低温で... [more] CPM2007-111
pp.35-38
CPM 2007-11-16
16:35
新潟 長岡技術科学大学 ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御
武山真弓・○佐藤 勝野矢 厚北見工大CPM2007-112
ナノ結晶組織からなるN-rich 組成のZrN 薄膜をCu とSiO2 間の極薄拡散バリヤとして適用し、そのバリヤ特性を... [more] CPM2007-112
pp.39-42
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