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１日目のセッション終了後に懇親会を開催いたします．

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		浅野種正
副委員長		杉井寿博
幹事		大野守史，川中繁
幹事補佐		松井裕一

日時	2007年 6月 7日(木)　13:30 - 17:10 2007年 6月 8日(金)　09:00 - 15:55
議題	ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催）
会場名	広島大学東広島キャンパス学士会館２階ホール
住所	東広島市鏡山1丁目2－2
交通案内	JR西条駅から広島大行きバス15分「広大中央口」下車徒歩10分、キャンパスMAP：http://www.hiroshima-u.ac.jp/add_html/access/ja/saijyo2.html 東広島キャンパスへのアクセス：http://www.hiroshima-u.ac.jp/category_view.php?folder_name=access&lang=ja
会場世話人連絡先	広島大学大学院先端物質科学研究科宮崎誠一 082-424-7656
他の共催	◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ	◎初日の研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月7日(木) 午後 13:30 - 17:10
(1)	13:30-13:55	MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 SDM2007-31	○石田　猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）
(2)	13:55-14:20	Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 SDM2007-32	○峰　利之・石田　猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）
(3)	14:20-14:45	窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用 SDM2007-33	○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ）
(4)	14:45-15:10	プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 SDM2007-34	○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン）
	15:10-15:30	休憩　（ 20分）
(5)	15:30-15:55	SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 SDM2007-35	○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大）
(6)	15:55-16:20	大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価 SDM2007-36	○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大）
(7)	16:20-16:45	B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 SDM2007-37	○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大）
(8)	16:45-17:10	高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 SDM2007-38	○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）
	17:10-17:30	休憩　（ 20分）
	17:30-19:00	懇親会　（ 90分）
6月8日(金) 午前 09:00 - 15:55
(9)	09:00-09:25	プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 SDM2007-39	○寺本章伸・荒谷　崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）
(10)	09:25-09:50	極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 SDM2007-40	○寺井真之・藤枝信次（NEC）
(11)	09:50-10:15	SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング SDM2007-41	○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝）
	10:15-10:30	休憩　（ 15分）
(12)	10:30-10:55	HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 SDM2007-42	○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼　隆・山部紀久夫（筑波大）
(13)	10:55-11:20	LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 SDM2007-43	○高島　章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口　豪・小山正人・福島　伸（東芝）
(14)	11:20-11:45	ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果～堆積時窒化によるEOT増加抑制効果～ SDM2007-44	○佐藤創志・舘　喜一・宋　在烈・角嶋邦之・パールハットアヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井　洋（東工大）
	11:45-12:45	昼食　（ 60分）
(15)	12:45-13:10	熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 SDM2007-45	○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝）
(16)	13:10-13:35	スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 SDM2007-46	○西岡　浩・菊地　真・木村　勲・神保武人・鄒　紅コウ（アルバック）
(17)	13:35-14:00	Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 SDM2007-47	○喜多浩之・能村英幸・鈴木　翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海　明（東大）
	14:00-14:15	休憩　（ 15分）
(18)	14:15-14:40	光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 SDM2007-48	○大田晃生・中川　博・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）
(19)	14:40-15:05	ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 SDM2007-49	○朽木克博・岡本　学・細井卓治・志村考功・安武　潔・渡部平司（阪大）
(20)	15:05-15:30	Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 SDM2007-50	○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大）
(21)	15:30-15:55	Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 SDM2007-51	○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井　朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	西岡泰城（日本大学理工学部精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-:etn-u,acmsk