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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製 ○宮脇啓嘉・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大）  ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある．最近当研究室では，レジストパターン転写による基板加工技術... [more] | ED2023-21 CPM2023-63 LQE2023-61 pp.36-39 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 16:45 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ ○福重翔吾・松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 |
InGaN系三次元構造は，単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である．最近我々は，傾斜角が連続的に... [more] | ED2023-22 CPM2023-64 LQE2023-62 pp.40-43 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT） R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々... [more] | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 16:30 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 ○髙津 海・久保広太・佐藤威友（北大） ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 |
意図的にダメージを与えたp-GaN表面に対する光電気化学（PEC）エッチングの効果を調査した．n-GaN基板上に形成され... [more] | ED2023-7 CPM2023-7 SDM2023-24 pp.28-31 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 13:00 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 |
蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系マイクロ構造がある．本研究では，テンプレート上になだらかなマイクロ構造をあ... [more] | ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 pp.85-88 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大） ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] | ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 pp.91-94 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 ○上向井正裕・樋口晃大・谷川智之・片山竜二（阪大） ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 |
GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている．励... [more] | ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 pp.79-82 |
| LQE | 2017-12-15 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters ○Yoshinobu Matsuda・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） LQE2017-86 |
InGaNマルチファセット量子井戸構造は，蛍光体フリーな高効率白色合成が期待できることから，近年注目を集めている．しかし... [more] | LQE2017-86 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 ○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大） ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 |
半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100％と... [more] | ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 pp.49-52 |
| ED | 2014-12-23 10:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］純粋3準位レーザ構造を用いたGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2014-110 |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するIII族窒化物半導体はテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の「発振周波... [more] | ED2014-110 pp.69-74 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大） ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる．SCAMは斜方晶の結晶で，六... [more] | ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 pp.5-8 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯... [more] | ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 pp.59-62 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大） ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は小型，連続動作，狭線幅，高出力，長寿命といった特長を持つことから，簡便... [more] | ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 pp.55-58 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 11:10 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大） ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 pp.7-10 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 pp.81-85 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］III-nitride-based Visible-blind and Solar-blind Photodetectors ○Hai Lu・Rong Zhang・Youdou Zheng（School of ESE, Nanjing Univ.） |
Group-III nitride semiconductors have attracted much attenti... [more] | |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 |
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] | ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117 pp.47-50 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 08:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 ○葛原正明（福井大） ED2009-70 SDM2009-65 |
[more] | ED2009-70 SDM2009-65 pp.87-92 |
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