Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2007-31
MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析
○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）
pp. 1 - 6
SDM2007-32
Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性
○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）
pp. 7 - 11
SDM2007-33
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用
○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ）
pp. 13 - 16
SDM2007-34
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン）
pp. 17 - 22
SDM2007-35
SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案
○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大）
pp. 23 - 26
SDM2007-36
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価
○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大）
pp. 27 - 32
SDM2007-37
B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調
○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大）
pp. 33 - 36
SDM2007-38
高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性
○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 37 - 42
SDM2007-39
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造
○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）
pp. 43 - 48
SDM2007-40
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果
○寺井真之・藤枝信次（NEC）
pp. 49 - 54
SDM2007-41
SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング
○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝）
pp. 55 - 58
SDM2007-42
HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果
○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大）
pp. 59 - 64
SDM2007-43
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝）
pp. 65 - 70
SDM2007-44
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～
○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大）
pp. 71 - 74
SDM2007-45
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価
○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝）
pp. 75 - 80
SDM2007-46
スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価
○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック）
pp. 81 - 83
SDM2007-47
Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御
○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大）
pp. 85 - 90
SDM2007-48
光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価
○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）
pp. 91 - 96
SDM2007-49
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大）
pp. 97 - 100
SDM2007-50
Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性
○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大）
pp. 101 - 106
SDM2007-51
Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価
○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）
pp. 107 - 111
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．