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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）  ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] | ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 pp.63-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| SDM | 2021-11-12 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高感度ひずみセンサー用のダンベル型グラフェンナノリボンのショットキーエネルギー障壁のひずみ誘起変化に関する理論的研究 ○張 秦強・鈴木 研・三浦英生（東北大） SDM2021-64 |
提案されたダンベル型のグラフェンナノリボン(DS-GNR)構造における電子特性のひずみ誘起変化 は，第一原理計算を使用し... [more] | SDM2021-64 pp.60-65 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・古田 守（高知工科大） EID2020-10 SDM2020-44 |
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] | EID2020-10 SDM2020-44 pp.37-41 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| CPM | 2019-02-28 16:20 |
東京 | 電通大 | 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性 ○北田秀樹・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2018-111 |
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である．窒化... [more] | CPM2018-111 pp.45-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 pp.17-20 |
| SDM | 2018-10-18 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-59 |
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] | SDM2018-59 pp.35-40 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） ED2016-101 MW2016-177 |
本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] | ED2016-101 MW2016-177 pp.23-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 表面処理の影響 ～ ○塩島謙次・永縄 萌（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に（i）劈開のみ、（ii）H2O2による故意酸化、（... [more] | ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 pp.15-20 |
| ED | 2015-07-24 13:15 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大） ED2015-36 |
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧（I-V）、容量‐電圧（C-V）、光応答（PR）測定を用いて評... [more] | ED2015-36 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 pp.35-38 |
| ED | 2012-12-18 12:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL） ED2012-107 |
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに... [more] | ED2012-107 pp.77-82 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| ED | 2012-07-26 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大） ED2012-46 |
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] | ED2012-46 pp.25-30 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
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