| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:40 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC)エッチングの制御と応用 ○沖 勇吾・塩澤直生・富樫拓也・佐藤威友（北大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| CPM | 2024-02-29 13:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果 ○山崎雄也・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹（弘前大）  CPM2023-105 |
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] | CPM2023-105 pp.38-41 |
| MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-27 10:30 |
新潟 | 新潟大学(駅南キャンパスときめいと) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性 ○山崎雄也・佐々木祐弥・中澤日出樹（弘前大） MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 |
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] | MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 pp.33-36 |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 11:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ○志村政英・安部功二（名工大） ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 |
あらまし 金属水酸化物は，難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり，その多くは電気化学堆積やゾ... [more] | ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 pp.23-26 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 ○佐藤威友・渡久地政周（北大） ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN... [more] | ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 pp.25-28 |
| CPM | 2021-10-27 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積 ○浦上法之・高島健介・橋本佳男（信州大） CPM2021-28 |
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] | CPM2021-28 pp.31-35 |
| CPM | 2021-03-03 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製 ○大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2020-64 |
酸化銅（II）(CuO)薄膜と酸化銅（I）(Cu₂O)薄膜が，それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] | CPM2020-64 pp.34-37 |
| OFT | 2019-10-11 12:20 |
新潟 | 駅まえオフィス貸会議室(新潟) | 脂質膜を固定化したヘテロコア光ファイバの化学センシングへの応用 ○細木 藍（国立遺伝学研）・西山道子・久米川宣一・渡辺一弘（創価大）・矢田部 塁・田原祐助・小野寺 武・杉山暁史（九大）・櫻井 望（国立遺伝学研） OFT2019-38 |
本研究では、土壌中の根の近傍における化合物の検知を可能とするセンサデバイスの開発を目指す．根の周囲といった微小空間での化... [more] | OFT2019-38 pp.33-36 |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大） ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加... [more] | ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 pp.49-54 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-06 15:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］表面化学修飾技術による機能性材料の開発 ～ 表面濡れ性制御および複合化高機能繊維への展開 ～ ○中村挙子（産総研） |
カーボンおよびポリマー材料は軽量、化学的安定性、高生体適合性などを示すことから、機能性材料としての研究開発が活発になって... [more] | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大） ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学... [more] | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 pp.23-26 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 17:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGa... [more] | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 pp.45-50 |
| SDM | 2016-06-29 15:25 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用 ○上野啓司（埼玉大） SDM2016-43 |
グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが，その一方で，同様な積層構造を... [more] | SDM2016-43 pp.59-64 |
| SDM | 2016-06-29 17:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京） SDM2016-47 |
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] | SDM2016-47 pp.79-84 |
| ED | 2015-10-23 10:35 |
愛知 | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） | 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ～ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ～ ○胡谷大志（国際基督教大）・増澤智昭（静岡大）・山田貴壽（産総研）・落合 潤・斎藤市太郎・岡野 健（国際基督教大） ED2015-64 |
ダイヤモンドは，その化学的安定性や高い熱伝導率，また負の電子親和力を持つ事から，電子源材料としての活用が期待されている．... [more] | ED2015-64 pp.53-56 |
| CPM | 2015-08-10 13:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 ○土屋政人・村上和輝・佐藤達人・高見貴弘・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-32 |
CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバ... [more] | CPM2015-32 pp.7-10 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]