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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2024-01-16 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
[more] | OME2023-80 pp.13-17 |
| CPM | 2023-07-31 15:10 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討 ○三浦豊生・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2023-14 |
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] | CPM2023-14 pp.11-12 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ～ AIデバイス応用に向けて ～ ○中村駿斗・青木裕雅・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-22 |
Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が，シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可... [more] | ED2022-22 pp.21-24 |
| CPM | 2021-03-03 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] | CPM2020-69 pp.52-54 |
| CPM | 2020-10-29 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 ○佐藤 勝・川合祐貴・向井高幸・武山真弓（北見工大） CPM2020-21 |
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] | CPM2020-21 pp.38-40 |
| ED | 2019-11-21 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作 ○新谷英世・村田英一・六田英治・下山 宏（名城大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2019-61 |
フィールドエミッタは陰極表面のマイグレーションやガス分子の吸着脱離によって電流特性が常に変化し続ける。そのため、微小なフ... [more] | ED2019-61 pp.9-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| ED | 2016-07-23 15:30 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） ED2016-30 |
我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] | ED2016-30 pp.17-20 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:15 |
京都 | 京都大学 | 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-37 SDM2014-132 |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] | EID2014-37 SDM2014-132 pp.125-128 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 12:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス ○須田隆太郎・伊藤光樹・森原康平・豊中貴大・滝川主喜・白樫淳一（東京農工大） ED2013-149 SDM2013-164 |
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで，強磁性単電子トランジスタ（Ferromagneti... [more] | ED2013-149 SDM2013-164 pp.95-100 |
| SDM | 2012-06-21 09:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 ○淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川 純・竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2012-44 |
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] | SDM2012-44 pp.7-12 |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-14 16:15 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製 ○大宮翔吾・吉村 哲・江川元太・斉藤 準（秋田大） MR2010-27 |
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。 本薄膜をスピ... [more] |
MR2010-27 pp.31-36 |
| SDM | 2010-06-22 17:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ～ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ～ 上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST） SDM2010-48 |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] | SDM2010-48 pp.85-88 |
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